Title:
窒化物系半導体レーザ素子
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2003075425
Kind Code:
A1
Abstract:
光の横方向の閉じ込めを再現性よく制御することが可能な窒化物系半導体レーザ素子が得られる。この窒化物系半導体レーザ素子は、ｎ型クラッド層３と、ｎ型クラッド層３上に形成されたＭＱＷ発光層４と、ＭＱＷ発光層４上に形成されたｐ型クラッド層５およびｐ型コンタクト層６と、ｐ型クラッド層５およびｐ型コンタクト層６の電流通過領域８以外の領域に、炭素を導入することにより形成されたイオン注入光吸収層７とを備えている。
Inventors:
戸田 忠夫
山口 勤
畑 雅幸
野村 康彦
庄野 昌幸
菱田 有二
吉年 慶一
井上 大二朗
狩野 隆司
林 伸彦
山口 勤
畑 雅幸
野村 康彦
庄野 昌幸
菱田 有二
吉年 慶一
井上 大二朗
狩野 隆司
林 伸彦
Application Number:
JP2003573753A
Publication Date:
June 30, 2005
Filing Date:
February 28, 2003
Export Citation:
Assignee:
三洋電機株式会社
International Classes:
H01S5/22; H01L21/205; H01L21/265; H01S5/323; H01S5/343
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