Title:
強磁性二重トンネル接合素子及び磁気デバイス
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2006112119
Kind Code:
A1
Abstract:
室温で１００％以上のＴＭＲ効果が得られ、ＴＭＲのバイアス電圧による低下が小さい強磁性二重トンネル接合素子（１０）及びそれを用いた磁気デバイスであって、第１の強磁性層（１３）と、トンネル電子のバリアとなる第１の絶縁層（１４）と、第２の強磁性層（１５）と、トンネル電子のバリアとなる第２の絶縁層（１６）と、第３の強磁性層（１７）とを基板（２）上に順次積層してなり、少なくとも第１及び第２の絶縁層（１４，１６）と第１及び第２の絶縁層（１４，１６）の間に挿入する第２の強磁性層（１５）とが同一の結晶面を有する結晶であり、第２の強磁性層（１５）の厚さを、第２の強磁性層（１５）中にスピンに依存した複数の量子準位が形成されるようにする。微分トンネルコンダクタンスが、バイアス電圧変化で共鳴トンネル効果により振動する。
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Inventors:
Koichiro Inomata
Hand bundle
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Application Number:
JP2007521094A
Publication Date:
December 04, 2008
Filing Date:
February 14, 2006
Export Citation:
Assignee:
Japan Science and Technology Agency
International Classes:
H01L43/08; H01L21/8246; H01L27/105; H01L29/82; H01L43/10
Domestic Patent References:
| JP2004079633A | 2004-03-11 | |||
| JP2002270921A | 2002-09-20 | |||
| JP2003318465A | 2003-11-07 | |||
| JP2003264295A | 2003-09-19 |
Attorney, Agent or Firm:
Kazuyuki Hirayama
Tetsuya Shinoda
Kota Ogawa
Tetsuya Shinoda
Kota Ogawa