Title:
結晶性有機半導体薄膜の製造方法、有機半導体薄膜、電子デバイスおよび薄膜トランジスタ
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2007119703
Kind Code:
A1
Abstract:
本発明は、連続的に塗布膜を形成することによって、簡便に良好な結晶性薄膜を形成する、生産性に優れたキャリア移動度の高い結晶性有機半導体薄膜の製造方法を得ることにあり、これを用いた結晶性有機半導体薄膜及び該結晶性有機半導体薄膜を用いた電子デバイス、有機薄膜トランジスタを提供する。この結晶性有機半導体薄膜及びその製造方法は、基板上に有機半導体溶液塗膜を形成したのち、該有機半導体溶液塗膜の端部にて結晶性有機半導体薄膜を成長して形成されることを特徴とする。
Inventors:
Hirai Katsura
Reiko Sugisaki
Reiko Sugisaki
Application Number:
JP2008510945A
Publication Date:
August 27, 2009
Filing Date:
April 09, 2007
Export Citation:
Assignee:
Konica Minolta Holdings Co., Ltd.
International Classes:
H01L51/40; H01L21/336; H01L21/368; H01L29/786; H01L51/05; H01L51/30
Other References:
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