Title:
半導体装置の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2008007732
Kind Code:
A1
Abstract:
半導体装置のバリア膜を形成する。本発明は、銅を主成分とし、拡散性金属が添加された合金ターゲットを酸素又は窒素を含有する反応ガスを供給しながらスパッタリングすることで、銅を主成分とし、拡散性金属を所定量含み、反応ガスが添加された中間層２５を形成する。拡散性金属の含有量は正確に制御されるので、中間層２５を加熱すると確実にバリア膜が形成される。また、中間層２５に反応ガスが添加されることで、拡散性金属の反応性が高くなっており、従来よりも低い加熱温度でバリア膜を形成することができる。
Inventors:
Yoshihiro Okamura
Satoshi Toyota
Michio Ishikawa
Satoshi Toyota
Michio Ishikawa
Application Number:
JP2008524834A
Publication Date:
December 10, 2009
Filing Date:
July 12, 2007
Export Citation:
Assignee:
ULVAC, Inc.
International Classes:
H01L21/285; C23C14/14; C23C14/58; H01L21/28; H01L21/3205; H01L23/52
Attorney, Agent or Firm:
Shigeo Ishijima
Hideki Abe
Hideki Abe