Title:
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2009034605
Kind Code:
A1
Abstract:
不揮発性メモリ、特に、ＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリの電荷保持特性を向上する。半導体基板上に順次形成されたトンネルシリコン酸化膜（１０７）、電荷蓄積膜であるシリコン窒化膜（１０４）、シリコン酸化膜（１０５）及びゲート電極（１０８）を備える不揮発性メモリセルにおいて、トンネルシリコン酸化膜（１０７）を、シリコン酸窒化膜（１０２）とシリコン酸化膜（１０３）の積層構造とする。このとき、シリコン酸窒化膜（１０２）に含まれる窒素原子の密度が半導体基板との界面からシリコン酸窒化膜（１０２）の膜厚方向に進むにつれて減少するように構成する。
Inventors:
Yanamoto Kinki
Application Number:
JP2009531989A
Publication Date:
December 16, 2010
Filing Date:
September 10, 2007
Export Citation:
Assignee:
Renesas Electronics Corporation
International Classes:
H01L21/8247; H01L27/115; H01L29/788; H01L29/792
Attorney, Agent or Firm:
Yamato Tsutsui
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