Title:
スパッタリング用酸化物焼結体ターゲット及びその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2009151003
Kind Code:
A1
Abstract:
インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）及び不可避的不純物からなるスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットにおいて、各元素の構成比は、式：ＩｎｘＧａｙＺｎｚＯａ｛式中、０．２≦ｘ／（ｘ＋ｙ）≦０．８、０．１≦ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．５、ａ＝（３／２）ｘ＋（３／２）ｙ＋ｚ｝であり、当該酸化物焼結体ターゲットの９０μｍ×９０μｍの面積の範囲に存在する平均粒径が３μｍ以上のＺｎＧａ２Ｏ４のスピネル相の個数が１０個以下であることを特徴とするスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｏ及び不可避的不純物からなるスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットにおいて、焼結体ターゲットの組織を改良し、ノジュールの発生源となる相の形成を、最小限に押さえると共に、バルク抵抗値を下げ、高密度で、異常放電を抑制でき、かつＤＣスパッタリングが可能であるＩＧＺＯターゲットを提供することを課題とする。
Inventors:
Kozo Nagata
Hiroaki Otsuka
Hiroaki Otsuka
Application Number:
JP2010516833A
Publication Date:
November 17, 2011
Filing Date:
June 05, 2009
Export Citation:
Assignee:
jx Nippon Mining & Metals Co., Ltd.
International Classes:
C23C14/34; C04B35/00
Attorney, Agent or Firm:
Isamu Ogoshi