Title:
半導体装置及びその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2011043448
Kind Code:
A1
Abstract:
第一の電極と、第二の電極と、前記第一の電極と前記第二の電極との間に挟まれた遷移金属酸化物層を含む層と、を少なくとも有し、前記遷移金属酸化物層は、第一の遷移金属からなる第一の遷移金属酸化物層と、前記第一の遷移金属とは異なる第二の遷移金属からなる第二の遷移金属酸化物層と、を有し、前記第一の遷移金属酸化物層は前記第一の電極側に設けられ、前記第二の遷移金属酸化物層は前記第二の電極側に設けられ、前記第一の遷移金属酸化物層と前記第二の遷移金属酸化物層とは当接し、前記第一の遷移金属酸化物層は、前記第一の遷移金属酸化物層と前記第二の遷移金属酸化物層との界面から、前記第一の電極側に向かって酸素濃度の傾斜を有し、且つ、前記界面における酸素濃度が、前記第一の電極側における酸素濃度より大きい、半導体装置とされる。
Inventors:
Yukihiro Sakotsubo
Masayuki Terai
Munehiro Tada
Yuko Yabe
Saito Yukishige
Masayuki Terai
Munehiro Tada
Yuko Yabe
Saito Yukishige
Application Number:
JP2011535470A
Publication Date:
March 04, 2013
Filing Date:
October 04, 2010
Export Citation:
Assignee:
NEC
International Classes:
H01L27/105; H01L45/00; H01L49/00
Attorney, Agent or Firm:
Masahiko Desk
Naoki Shimosaka
Naoki Shimosaka
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