Title:
半導体装置の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2011074075
Kind Code:
A1
Abstract:
【課題】 不純物イオンが注入される範囲と荷電粒子が注入される範囲との相対位置のずれを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、マスクを不純物イオン照射装置と半導体基板の間に配置した状態で不純物イオンを照射する不純物イオン注入工程と、マスクを荷電粒子照射装置と半導体基板の間に配置した状態で荷電粒子を照射することによって低ライフタイム領域を形成する荷電粒子注入工程を有している。不純物イオン注入工程と荷電粒子注入工程の何れか一方を開始してから、不純物イオン注入工程と荷電粒子注入工程の両方が完了するまで、マスクと半導体基板の間の相対位置は変更されない。【選択図】図２
Inventors:
Shinya Iwasaki
Kamei you
Kamei you
Application Number:
JP2011545880A
Publication Date:
April 25, 2013
Filing Date:
December 15, 2009
Export Citation:
Assignee:
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
International Classes:
H01L21/336; H01L21/322; H01L21/76; H01L27/04; H01L29/739; H01L29/78; H01L29/861; H01L29/868
Attorney, Agent or Firm:
Kaiyu International Patent Office
Previous Patent: 電気駆動式車両
Next Patent: CATALYTIC CARBONYLATION OF THREE- OR FOUR-MEMBERED HETEROCYCLIC RING
Next Patent: CATALYTIC CARBONYLATION OF THREE- OR FOUR-MEMBERED HETEROCYCLIC RING