Title:
半導体装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2011077664
Kind Code:
A1
Abstract:
セル列（Ａ１）のＮ型ウエル領域（ＮＷ）にウエル電位給電領域（１４ｎ）が設けられている。ウエル電位給電領域（１４ｎ）の横方向両側に配置された隣接ゲート（１５ａ，１５ｂ）、さらに両側に配置された隣接ゲート（１５ｃ，１５ｄ）は、同一ピッチで配置されている。また隣接セル列（Ａ２）は、隣接ゲート（１５ａ〜１５ｄ）に縦方向においてそれぞれ対向している４本のゲート（１５ｅ〜１５ｈ）を有している。すなわち、ウエル電位給電領域（１４ｎ）の周辺のゲートパターンに関して、形状規則性が維持されている。
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Inventors:
Masanori Tamaru
Kazuyuki Nakanishi
Nishimura Hidetoshi
Kazuyuki Nakanishi
Nishimura Hidetoshi
Application Number:
JP2011547278A
Publication Date:
May 02, 2013
Filing Date:
December 14, 2010
Export Citation:
Assignee:
Panasonic Corporation
International Classes:
H01L21/82; H01L21/822; H01L21/8234; H01L27/04; H01L27/088
Attorney, Agent or Firm:
Hiroki Naito
Daisuke Nagano
Kentaro Fujii
Daisuke Nagano
Kentaro Fujii
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