Title:
回路基板、表示装置及び回路基板の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2011089767
Kind Code:
A1
Abstract:
本発明は、ＴＦＴの半導体層が酸化物半導体からなり、低抵抗のアルミニウム配線を用いる、信頼性に優れた回路基板を提供する。本発明の回路基板は、酸化物半導体層、ソース配線及びドレイン配線を有する回路基板であって、上記ソース配線及び該ドレイン配線は、それぞれ該半導体層と接する部分を有し、該ソース配線の該半導体層と接する部分と該ドレイン配線の該半導体層と接する部分とが間隔をあけて対向し、かつアルミニウム以外の金属からなる層、及び、アルミニウムを含む層を積層して形成したものである回路基板である。
Inventors:
Yoshihito Hara
Yukinobu Nakata
Yukinobu Nakata
Application Number:
JP2011550792A
Publication Date:
May 20, 2013
Filing Date:
October 25, 2010
Export Citation:
Assignee:
Sharp Corporation
International Classes:
H01L29/786; G02F1/1368; H01L21/28
Domestic Patent References:
| JP2007123861A | 2007-05-17 |
Attorney, Agent or Firm:
Atomi International Patent Office
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