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Title:
ドーパント材、半導体基板、太陽電池素子、およびドーパント材の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2011105430
Kind Code:
A1
Abstract:
生産性のよいドーパント材を、またそのドーパント材を用いて作製した半導体基板を、さらには太陽電池素子を、およびドーパント材の製造方法を提供する。本実施形態に係るドーパント材は、シリコンを含む半導体材料に添加されるドーパント材であり、ｎ型またはｐ型のドーパント源となる元素と、多結晶シリコンとを含む。そして、前記ドーパント源となる元素の濃度は、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である。

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Inventors:
Yohei Sakai
Satoshi Kawamura
Mayu Fukuda
Application Number:
JP2012501820A
Publication Date:
June 20, 2013
Filing Date:
February 23, 2011
Export Citation:
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Assignee:
Kyocera Corporation
International Classes:
C01B33/02; H01L31/04



 
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