Title:
圧電デバイスの製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2012043615
Kind Code:
A1
Abstract:
イオン注入を起因とした、圧電薄膜の圧電性の劣化と圧電薄膜の破損を防ぐ圧電デバイスの製造方法を提供する。圧電単結晶基板（１）におけるイオン注入側の面（１２）に対向する裏面（１３）に圧縮応力膜（９０）を形成する。圧縮応力膜（９０）は、圧電単結晶基板（１）におけるイオン注入側の面（１２）を圧縮する膜である。圧縮応力膜（９０）を裏面（１３）に形成すると、圧縮応力膜（９０）によって、圧電単結晶基板（１）における圧電単結晶基板（１）の厚み方向の中心線（Ｃ）よりイオン注入側の部分に圧縮応力が印加される。これにより、圧電単結晶基板（１）は、反りが緩和して平らになる。そして、支持基板（５０）を平らな圧電単結晶基板（１）上の接合膜（２２）の表面に接合する。次に、圧電単結晶基板（１）と支持基板（５０）との接合体を加熱し、イオン注入部分（１００）を分離面とした分離を行う。
Inventors:
Takashi Iwamoto
Application Number:
JP2012536501A
Publication Date:
February 24, 2014
Filing Date:
September 28, 2011
Export Citation:
Assignee:
MURATA MANUFACTURING CO.,LTD.
International Classes:
H03H3/08; H01L21/02; H01L41/312; H01L41/335; H03H9/145
Attorney, Agent or Firm:
Kaede International Patent Office
Previous Patent: LIGHTING SYSTEM, DISPLAY DEVICE, AND TELEVISION RECEIVER
Next Patent: LIGHTING SYSTEM, DISPLAY DEVICE, TELEVISION RECEIVER
Next Patent: LIGHTING SYSTEM, DISPLAY DEVICE, TELEVISION RECEIVER