Title:
窒化物半導体レーザ素子
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2014097508
Kind Code:
A1
Abstract:
レーザ動作中においても膜剥がれが発生しない堅牢な端面保護膜を設けた高い信頼性を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する。ＩＩＩ族窒化物半導体からなり、発光端面を有する半導体積層体と、半導体積層体における発光端面を覆うように形成された誘電体多層膜からなる保護膜を備え、保護膜は端面保護層と酸素拡散抑制層から構成され、発光端面から端面保護層と酸素拡散抑制層の順に配置されており、端面保護層は、アルミニウムを含む窒化物からなる結晶性膜を含んだ層であり、酸素拡散抑制層は金属酸化物膜をシリコン酸化膜が挟んだ構造であり、金属酸化物膜はレーザ光によって結晶化することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
Inventors:
Shinji Yoshida
Atsushi Mochida
Takahiro Okaguchi
Atsushi Mochida
Takahiro Okaguchi
Application Number:
JP2013552438A
Publication Date:
January 12, 2017
Filing Date:
August 28, 2013
Export Citation:
Assignee:
Panasonic Corporation
International Classes:
H01S5/028; H01S5/343
Attorney, Agent or Firm:
Tokuda Yoshiaki
Kentaro Fujii
Ikuro Terauchi
Kentaro Fujii
Ikuro Terauchi