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Title:
電界集中位置観察装置および電界集中位置観察方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2014129377
Kind Code:
A1
Abstract:
観察装置10Aは、レーザ光源18と、レーザ光源18から出力されたレーザ光を半導体装置32へ照射するスキャン光学系16と、半導体装置32の電極間に所定電圧である逆バイアス電圧を印加するバイアス電源22と、レーザ光に起因して半導体装置32に生じる電気特性を検出するセンサ24と、センサ24からの検出信号に基づいて半導体装置32の電気特性画像を生成する制御システム28とを備える。バイアス電源22は、所定電圧の大きさを、半導体装置32にアバランシェ増幅作用が生じる電圧に達するまで段階的に増加させる。そして、所定電圧が増加すると、スキャン光学系16がレーザ光を照射し、センサ24が電気特性を検出し、制御システム28が電気特性画像を生成する。これにより、電界集中箇所を正確に知ることができる電界集中位置観察装置および観察方法が実現される。

Inventors:
Nakamura common rule
Application Number:
JP2015501415A
Publication Date:
February 02, 2017
Filing Date:
February 13, 2014
Export Citation:
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Assignee:
Hamamatsu Photonics Co., Ltd.
International Classes:
G01R31/26; G01R31/302; H01L21/66
Domestic Patent References:
JPH11340293A1999-12-10
JP2006234789A2006-09-07
JP2012058247A2012-03-22
Foreign References:
US6346821B12002-02-12
Attorney, Agent or Firm:
Yoshiki Hasegawa
Yoshiki Kuroki
Kenichi Shibayama
Satoru Ishida