Title:
有機半導体素子及びその製造方法、有機半導体組成物、並びに、有機半導体膜
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2016098654
Kind Code:
A1
Abstract:
半導体活性層の塗布製造プロセス適性、キャリア移動度、耐熱性及び柔軟性に優れる有機半導体素子を提供すること、並びに、塗布製造プロセス適性に優れ、キャリア移動度、耐熱性及び柔軟性に優れた有機半導体を形成することができる有機半導体組成物、並びに、上記組成物を用いた有機半導体膜及び有機半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。本発明の有機半導体素子は、式１で表される化合物を半導体活性層に含むことを特徴とする。式１中、Ａは式２又は式３で表される芳香環のいずれかより選ばれる芳香環であり、＊は２つの側方カルコゲノフェン環との結合位置を表し、Ｘaはカルコゲン原子を表し、Ｘ1及びＹ1のうち一方がカルコゲン原子であり、Ｘ2及びＹ2のうち一方がカルコゲン原子である。
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Inventors:
Hirai Tomoki
Kensuke Masui
Kensuke Masui
Application Number:
JP2016564807A
Publication Date:
June 15, 2017
Filing Date:
December 09, 2015
Export Citation:
Assignee:
FUJIFILM Corporation
International Classes:
H01L51/30; C07D495/22; H01L21/336; H01L29/786; H01L51/05; H01L51/40
Domestic Patent References:
| JP2009190999A | 2009-08-27 | |||
| JP2012510454A | 2012-05-10 | |||
| JP2013235904A | 2013-11-21 | |||
| JP2014110347A | 2014-06-12 |
Attorney, Agent or Firm:
Patent Service Corporation Taiyo International Patent Office