Title:
スパッタリング装置、膜の製造方法、ＳｒＲｕＯ３−δ膜、強誘電体セラミックス及びその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2017018077
Kind Code:
A1
Abstract:
結晶性の高い膜を成膜できるスパッタリング装置を提供する。本発明の一態様は、チャンバー１１内に配置された、基板１２を保持する保持部１３とスパッタリングターゲット１４と、前記スパッタリングターゲットに１０ＫＨｚ以上３０ＭＨｚ以下の高周波出力を、１／２０ｍｓ以上１／３ｍｓ以下の周期で２５％以上９０％以下のＤＵＴＹ比のパルス状に供給する出力供給機構１６と、ガス導入源１７と、真空排気機構１９と、を具備し、前記スパッタリングターゲットは、ＳｒｆＲｕｇＯｈまたはＳｒｆ（Ｔｉ１−ｘＲｕｘ）ｇＯｈを含み、ｆ，ｇ，ｈ，ｘは下記の式２〜式５を満たすことを特徴とするスパッタリング装置である。 ０．０１≦ｘ≦０．４ ・・・式２ ｆ＝１ ・・・式３１．０＜ｇ≦１．２ ・・・式４ ２≦ｈ≦３ ・・・式５
Inventors:
Ken Kijima
Yuji Honda
Yuji Honda
Application Number:
JP2017531075A
Publication Date:
May 24, 2018
Filing Date:
June 07, 2016
Export Citation:
Assignee:
U-Tech Co., Ltd.
International Classes:
C23C14/34; C04B35/01; C04B35/462; C23C14/08
Domestic Patent References:
| JPH1161402A | 1999-03-05 | |||
| JP2009071292A | 2009-04-02 | |||
| JP2013168530A | 2013-08-29 | |||
| JP2004307244A | 2004-11-04 |
Foreign References:
| WO2013094171A1 | 2013-06-27 |
Attorney, Agent or Firm:
Mutsumi Yanase
Atsushi Watanabe
Atsushi Watanabe
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