Title:
半導体製造用処理液、及び、パターン形成方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2017169834
Kind Code:
A1
Abstract:
本発明の目的は、金属原子を含有したパーティクルの発生を低減し、良好なパターンを形成することができる半導体製造用処理液、及び、パターン形成方法を提供することにある。本発明の実施形態に係る半導体製造用処理液は、一般式（Ｎ）で表される第４級アンモニウム化合物と、アニオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、及び、キレート剤からなる群より選択される少なくとも１種の添加剤と、水とを含む。上記半導体製造用処理液は、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｌｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、及び、Ｚｎからなる群より選択される１種又は２種以上の金属原子を含み、上記金属原子の全質量は前期添加剤の全質量と上記金属原子の全質量との合計に対して、１質量ｐｐｔ〜１質量ｐｐｍである。
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Inventors:
Tetsuya Uemura
Tetsuya Shimizu
Satoshi Murayama
Tetsuya Shimizu
Satoshi Murayama
Application Number:
JP2018509013A
Publication Date:
January 31, 2019
Filing Date:
March 16, 2017
Export Citation:
Assignee:
FUJIFILM Corporation
International Classes:
G03F7/32; G03F7/20; H01L21/027
Domestic Patent References:
| JPH07333863A | 1995-12-22 | |||
| JP2014209578A | 2014-11-06 | |||
| JP2001159824A | 2001-06-12 | |||
| JP2002005799A | 2002-01-09 | |||
| JP2015010039A | 2015-01-19 | |||
| JPH08286386A | 1996-11-01 | |||
| JP2008310315A | 2008-12-25 | |||
| JP2004126271A | 2004-04-22 | |||
| JP2001117240A | 2001-04-27 | |||
| JP2014219657A | 2014-11-20 | |||
| JPH11512845A | 1999-11-02 | |||
| JPH08505241A | 1996-06-04 |
Foreign References:
| WO2014069245A1 | 2014-05-08 | |||
| WO2012043496A1 | 2012-04-05 |
Attorney, Agent or Firm:
Kurata Masatoshi
Nobuhisa Nogawa
Naoki Kono
Tadashi Inoue
Ukai Ken
Shigeru Iino
Nobuhisa Nogawa
Naoki Kono
Tadashi Inoue
Ukai Ken
Shigeru Iino
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