Title:
酸化物半導体膜及びその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2018004008
Kind Code:
A1
Abstract:
良好なｐ型半導体特性を有する新規かつ有用な酸化物半導体膜とその製造方法を提供する。周期律表の第９族金属（ロジウム、イリジウム、コバルト等）及び／又は第１３族金属（インジウム、アルミニウム、ガリウム等）とｐ型ドーパント（マグネシウム等）とを含む原料溶液を霧化してミストを生成し、ついで、キャリアガスを用いて、基体の表面近傍まで前記ミストを搬送した後、前記ミストを前記基体表面近傍にて酸素雰囲気下で熱反応させることにより、前記基体上に酸化物半導体膜を形成する。
Inventors:
Tanigawa Koto
Torami Tora
Torami Tora
Application Number:
JP2018525322A
Publication Date:
May 30, 2019
Filing Date:
June 30, 2017
Export Citation:
Assignee:
Flosfia Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/365; C01G55/00; C23C16/40; C23C16/448; H01L21/337; H01L21/338; H01L21/368; H01L29/12; H01L29/24; H01L29/739; H01L29/778; H01L29/78; H01L29/808; H01L29/812; H01L29/872
Domestic Patent References:
| JP2016081946A | 2016-05-16 | |||
| JP2013058637A | 2013-03-28 |
Foreign References:
| US20140091302A1 | 2014-04-03 | |||
| WO2005047560A1 | 2005-05-26 |