Title:
半導体装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2018016543
Kind Code:
A1
Abstract:
半導体基板と、半導体基板に形成された第１導電型のドリフト領域と、ドリフト領域の上方に形成され、ドリフト領域よりも高濃度の第１導電型の蓄積領域と、蓄積領域の上方に形成された第２導電型のベース領域と、ベース領域および蓄積領域を貫通して、半導体基板の上面からドリフト領域まで延伸して形成されたゲートトレンチ部とを備え、蓄積領域におけるドーピング濃度の最大値は、ベース領域におけるドーピング濃度の最大値よりも大きい半導体装置を提供する。
Inventors:
Yousuke Sakurai
Yuichi Onozawa
Yuichi Onozawa
Application Number:
JP2018528841A
Publication Date:
October 11, 2018
Filing Date:
July 19, 2017
Export Citation:
Assignee:
Fuji Electric Co., Ltd.
International Classes:
H01L29/78; H01L29/12; H01L29/739
Domestic Patent References:
| JP2001127286A | 2001-05-11 | |||
| JP2013089700A | 2013-05-13 | |||
| JP2002533936A | 2002-10-08 | |||
| JP2005347289A | 2005-12-15 | |||
| JP2014060362A | 2014-04-03 |
Attorney, Agent or Firm:
Longhua International Patent Service Corporation