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Title:
高周波モジュールおよびその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2019045088
Kind Code:
A1
Abstract:
シールド層と外部基板のグランド電極を導体ピンにより接続し、シールド抵抗を下げ、シールド性能の安定した高周波モジュールを提供する。高周波モジュール１は、基板２と基板２の上面２ａに実装された第１部品４と、基板２の下面２ｂに実装された第２部品５と、上側封止樹脂層６および下側封止樹脂層７と、導体ピン８と、シールド層９とを備える。導体ピン８は、下側封止樹脂層７の下面７ａから露出し外部基板のグランド電極に接続される端子部８ａと、下側封止樹脂層７の側面７ｂから露出しシールド層９に接続されるシールド接続部８ｂとを有する。導体ピン８の端子部８ａがグランド電極に接続されることにより、シールド層９が最短距離でグランド電位に接続され、シールド抵抗を下げることができる。

Inventors:
Yoshito Otsubo
Satoshi Yamaguchi
Application Number:
JP2019539696A
Publication Date:
July 27, 2020
Filing Date:
September 03, 2018
Export Citation:
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Assignee:
MURATA MANUFACTURING CO.,LTD.
International Classes:
H01L23/00; H01L21/56; H01L23/02; H01L25/04; H01L25/065; H01L25/07; H01L25/18; H05K3/00; H05K3/46; H05K9/00
Domestic Patent References:
JP2012028486A2012-02-09
JP2006196857A2006-07-27
JP2009218258A2009-09-24
JP2012253190A2012-12-20
Foreign References:
WO2017026430A12017-02-16
Attorney, Agent or Firm:
Ryose Uji
Koichi Kimura
Maruyama Yosuke



 
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