Title:
半導体装置、および半導体装置の作製方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2019077438
Kind Code:
A1
Abstract:
良好な電気特性および高集積化が可能な半導体装置を提供する。第１の絶縁体と、第１の絶縁体上の第２の絶縁体と、第２の絶縁体上の酸化物と、酸化物上の第１の導電体および第２の導電体と、酸化物上の第３の絶縁体と、第３の絶縁体上に位置し、酸化物と重なる第３の導電体と、第２の絶縁体、酸化物の側面、第１の導電体の側面、第１の導電体の上面、第２の導電体の側面、第２の導電体の上面、および第３の絶縁体の側面と接する、第４の絶縁体と、第３の絶縁体および第３の導電体の上面と接する、第５の絶縁体と、を有し、第４の絶縁体の上面は、第５の絶縁体と接する半導体装置。
Inventors:
Shunpei Yamazaki
Toshihiko Takeuchi
Hiromi Sawai
Ryota Hondo
Katsuaki Tochibayashi
Toshihiko Takeuchi
Hiromi Sawai
Ryota Hondo
Katsuaki Tochibayashi
Application Number:
JP2019548786A
Publication Date:
November 05, 2020
Filing Date:
October 09, 2018
Export Citation:
Assignee:
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/336; H01L21/8242; H01L27/108; H01L27/1156; H01L29/786; H01L29/788; H01L29/792
Domestic Patent References:
| JP2017050530A | 2017-03-09 | |||
| JP2017045989A | 2017-03-02 | |||
| JP2017034246A | 2017-02-09 | |||
| JP2016167584A | 2016-09-15 | |||
| JP2016213468A | 2016-12-15 | |||
| JP2015144251A | 2015-08-06 |