Title:
シリコンウェーハの研磨方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2019077687
Kind Code:
A1
Abstract:
本発明のシリコンウェーハの研磨方法は、前段研磨工程と、その後の仕上げ研磨工程とからなる最終研磨工程において、前記前段研磨工程では、研磨液として、まずは、密度が１×１０14個／ｃｍ3以上の砥粒を含む第１アルカリ水溶液を供給し、その後、水溶性高分子と、密度が５×１０13個／ｃｍ3以下の砥粒とを含む第２アルカリ水溶液を供給することに切り替え、前記仕上げ研磨工程では、研磨液として、水溶性高分子と、密度が５×１０13個／ｃｍ3以下の砥粒とを含む第３アルカリ水溶液を供給する。これにより、ＰＩＤのみならず、段差の低いスクラッチの発生を抑制することができる。
Inventors:
Matsudaira
Application Number:
JP2019517872A
Publication Date:
November 14, 2019
Filing Date:
October 17, 2017
Export Citation:
Assignee:
Sumco inc.
International Classes:
H01L21/304; B24B37/00; B24B57/02; C09K3/14
Domestic Patent References:
| JPH11140427A | 1999-05-25 | |||
| JPH09102475A | 1997-04-15 |
Foreign References:
| WO2010140671A1 | 2010-12-09 |
Attorney, Agent or Firm:
Kenji Sugimura
Mitsutsugu Sugimura
Keisuke Kawahara
Mitsutsugu Sugimura
Keisuke Kawahara