Title:
半導体装置、および、半導体装置の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2020003436
Kind Code:
A1
Abstract:
本願明細書に開示される技術は、半導体装置およびその製造方法に関するものであり、かつ、高い放熱性能を有する半導体装置を提供することを目的とするものである。本願明細書に開示される技術に関する半導体装置は、ダイヤモンド基板（２３）と、窒化物半導体層（２、３）とを備えるものである。ダイヤモンド基板（２３）は、ダイヤモンドからなる。窒化物半導体層（２、３）は、ダイヤモンド基板（２３）の上面（１０９）に形成された凹部（１７）の内部に形成される。
Inventors:
Koji Tsuyoshi
Keisuke Nakamura
Eiji Yagyu
Keisuke Nakamura
Eiji Yagyu
Application Number:
JP2020526804A
Publication Date:
January 07, 2021
Filing Date:
June 28, 2018
Export Citation:
Assignee:
Mitsubishi Electric Corporation
International Classes:
H01L21/338; C23C14/04; C23C14/06; C23C16/04; C23C16/34; H01L21/336; H01L29/778; H01L29/78; H01L29/812
Domestic Patent References:
| JP2007096130A | 2007-04-12 | |||
| JP2018041785A | 2018-03-15 | |||
| JP2015065233A | 2015-04-09 | |||
| JP2012084653A | 2012-04-26 | |||
| JP2012084781A | 2012-04-26 | |||
| JP2016139695A | 2016-08-04 | |||
| JP2016528744A | 2016-09-15 | |||
| JP2009166160A | 2009-07-30 |
Attorney, Agent or Firm:
Yoshitake Hidetoshi
Takahiro Arita
Takahiro Arita