本発明にかかる実施形態の一例について� ��明する。

<実施形態1>
(液晶表示装置の構成)
 図1は、本発明にかかる実施形態1において� �液晶表示装置100の構成を示す断面図である� �

 本実施形態の液晶表示装置100は、図1に示 すように、液晶パネル200と、バックライト300 とを有する。各部について順次説明する。

 液晶パネル200は、アクティブマトリクス� ��式であり、図1に示すように、TFTアレイ基板 201と対向基板202とが、互いに間隔を隔てるよ う対面している。そして、そのTFTアレイ基板 201と対向基板202との間に挟まれるように、液 晶層203が設けられている。

 そして、液晶パネル200は、図1に示すよう に、TFTアレイ基板201の側に位置するようにバ ックライト300が配置されており、TFTアレイ基 板201において対向基板202に対面している面と は反対側の面に、バックライト300から出射さ れた照明光Rが照射される。そして、詳細に� �いては後述するが、液晶パネル200は、複数� �画素(図示無し)が配置され、画像を表示する 画素領域PAを含み、その液晶パネル200の背面� ��に設置されたバックライト300が出射した照� ��光Rを、第1の偏光板206を介して背面から受� �、その背面から受けた照明光Rを、その画素� ��域PAにおいて変調する。ここでは、TFTアレ� �基板201において画素に対応するように、TFT(� ��示無し)が画素スイッチング素子として設け られており、その画素スイッチング素子(図� �無し)が画素をスイッチング制御することに� ��って、背面から受けた照明光Rを変調する。 そして、その変調された照明光Rが、第2の偏� ��板207を介して、正面側に出射し、画素領域P Aにおいて画像が表示される。つまり、本実� �形態の液晶パネル200は、透過型であって、� �とえば、液晶パネル200の正面の側において� �ラー画像を表示する。

 本実施形態においては、液晶表示装置100� ��、たとえば、ノーマリ・ブラック方式であ� ��、液晶パネル200において液晶層203に電圧を� ��えない時に光透過率が低下して黒表示が実� ��され、一方で、液晶層203に電圧を加えた時� ��光透過率が上がるように、第1の偏光板206や 第2の偏光板207などの各部が配置されている� �具体的には、液晶層203に電圧を加えない時� �第2の偏光板207にて光が遮光されて黒表示が� ��施され、一方で、液晶層203に電圧を加えた� ��に第2の偏光板207から光が透過するように、 各部の透過軸が配置されている。

 また、本実施形態においては、液晶表示� ��置100は、携帯可能なモバイル機器に搭載さ� ��、上記のように、画素領域PAにおいて液晶� �203と第2の偏光板207とを介して出射される光� ��より表示される画像は、ランドスケープ(横 長)またはポートレート(縦長)にされた状態に おいて、透過軸がx方向またはy方向にある偏� ��素子を含む偏光サングラスを装着したユー� ��ーによって、その偏光素子を介して、視認� ��れる。

 バックライト300は、図1に示すように、液 晶パネル200の背面に対面しており、その液晶 パネル200の画素領域PAに照明光Rを出射する。

 具体的には、バックライト300は、液晶パ� ��ル200を構成するTFTアレイ基板201と対向基板2 02とにおいて、TFTアレイ基板201の側に位置す� ��ように配置されている。そして、TFTアレイ� ��板201において対向基板202に対面している面� ��対して反対側の面に、照明光Rを照射する。 ここでは、たとえば、白色光を照明光Rとし� �照明する。つまり、バックライト300は、TFT� �レイ基板201の側から対向基板202の側へ向か� �ように照明光Rを照明する。

(液晶パネルの構成)
 液晶パネル200の全体構成について説明する� ��

 図2は、本発明にかかる実施形態1におい� �、液晶パネル200を示す平面図である。

 液晶パネル200は、図2に示すように、画素 領域PAと、周辺領域CAとを有する。

 液晶パネル200において画素領域PAには、� �2に示すように、複数の画素Pが面に沿って配 置されている。具体的には、画素領域PAにお� ��ては、複数の画素Pが、x方向と、このx方向� ��対して垂直なy方向とのそれぞれに、マトリ クス状に並ぶように配置されており、たとえ ば、線順次方式にて、画素Pが駆動され、画� �が表示される。

 液晶パネル200において周辺領域CAは、図2� ��示すように、画素領域PAの周辺を囲うよう� �位置している。この周辺領域CAにおいては、 図2に示すように、垂直駆動回路11と、水平駆 動回路12とが形成されている。たとえば、垂� ��駆動回路11と水平駆動回路12とのそれぞれは 、上記の画素スイッチング素子と同様にして 形成された半導体素子によって、この各回路 が構成されている。この垂直駆動回路11と水� ��駆動回路12とのそれぞれは、画素領域PAに設 けられた複数の画素Pを、たとえば、線順次� �式にて駆動し、画像表示を実行する。

(液晶パネルの画素領域の構成)
 図3は、本発明にかかる実施形態1において� �液晶パネル200における画素領域PAに設けられ た画素Pの要部を模式的に示す断面図である� �

 図3に示すように、液晶パネル200は、TFTア レイ基板201と、対向基板202と、液晶層203とを 有する。この液晶パネル200においては、図3� �示すように、TFTアレイ基板201と対向基板202� �が間隔を隔てられて貼り合わされており、� �のTFTアレイ基板201と対向基板202との間の間� �に、液晶層203が設けられている。たとえば� �TFTアレイ基板201と対向基板202との間にスペ� �サ(図示無し)を介在させて、間隔を設けて対 面させ、シール材(図示無し)を用いて貼り合� ��されている。そして、本実施形態において� ��、液晶パネル200は、FFS方式の表示モードに� ��応するように構成されている。

 この液晶パネル200において、TFTアレイ基� ��201は、光を透過する絶縁体の基板であり、� ��とえば、ガラスにより形成されている。そ� ��て、TFTアレイ基板201において、対向基板202� ��対面する側の面には、図3に示すように、画 素電極62aと、共通電極62bと、データ線S1とが� ��成されている。

 また、液晶パネル200において、対向基板2 02は、TFTアレイ基板201と同様に、光を透過す� ��絶縁体の基板であり、たとえば、ガラスに� ��り形成されている。そして、対向基板202は� ��図3に示すように、TFTアレイ基板201に対して 間隔を隔てるよう対面している。そして、対 向基板202において、TFTアレイ基板201に対面す る側の面には、図3に示すように、カラーフ� �ルタ層21が形成されている。ここでは、カラ ーフィルタ層21は、赤フィルタ層21Rと緑フィ� ��タ層21Gと青フィルタ層21Bとを含み、赤と緑� ��青との3原色を1組として構成されている。

 上記の液晶パネル200を構成するTFTアレイ� ��板201の詳細について説明する。

 図4は、本発明にかかる実施形態1におい� �、画素領域PAに設けられた画素PにおけるTFT� �レイ基板201の要部を模式的に示す平面図で� �る。

 図4においては、凡例に示すように、各部 材を構成する材料に応じて異なったハッチン グを付している。なお、図4においては、図3� ��示した画素Pにおいて赤フィルタ層21Rに対応 するサブ画素について示しているが、その他 の緑フィルタ層21Gと青フィルタ層21Bとに対応 するサブ画素のそれぞれにおいても、この赤 フィルタ層21Rに対応するサブ画素の場合と同 様に各部材が形成されている。

 図4に示すように、TFTアレイ基板201におい ては、図3に示した画素電極62aと共通電極62b� �データ線S1との各部材の他に、画素スイッチ ング素子31と、ゲート線G1とが形成されてい� �。この画素スイッチング素子31と、ゲート線 G1とのそれぞれは、TFTアレイ基板201において� ��対向基板202に対面する側の面に形成されて� ��る。

 TFTアレイ基板201に設けられた各部につい� ��順次説明する。

 TFTアレイ基板201において、画素スイッチ� ��グ素子31は、図3においては示していないが� ��TFTアレイ基板201において対向基板202に対面� ��る側の面に形成されており、層間絶縁膜60a� ��被覆されている。

 図5は、本発明にかかる実施形態1におい� �、画素スイッチング素子31を示す断面図であ る。

 図5に示すように、画素スイッチング素子 31は、ゲート電極45と、ゲート絶縁膜46gと、� �導体層48とを含み、LDD(Lightly Doped Drain)構造� ��ボトムゲート型TFTとして形成されている。

 具体的には、画素スイッチング素子31に� �いて、ゲート電極45は、図5に示すように、TF Tアレイ基板201の面において、ゲート絶縁膜46 gを介して、半導体層48のチャネル領域48Cに対 面するように設けられている。ここでは、ゲ ート電極45は、図4に示すように、たとえば、 モリブデンなどの金属材料を用いて形成され ている。

 また、画素スイッチング素子31において� �ゲート絶縁膜46gは、図5に示すように、ゲー� ��電極45を被覆するように形成されている。� �こでは、ゲート絶縁膜46gは、シリコン酸化� �、シリコン窒化膜などの絶縁材料を用いて� �成されている。

 また、画素スイッチング素子31において� �半導体層48は、図5に示すように、ゲート電� �45に対応するようにチャネル領域48Cが形成さ れると共に、そのチャネル領域48Cを挟むよう に一対のソース・ドレイン領域48A,48Bが形成� �れている。この一対のソース・ドレイン領� �48A,48Bは、チャネル領域48Cを挟むように一対� ��低濃度不純物領域48AL,48BLが形成され、さら� ��、その低濃度不純物領域48AL,48BLよりも不純� ��の濃度が高い一対の高濃度不純物領域48AH,48 BHが、その一対の低濃度不純物領域48AL,48BLを� ��むように形成されている。ここでは、半導� ��層48は、図4に示すように、たとえば、ポリ� ��リコンなどの半導体材料を用いて形成され� ��おり、ゲート線G1が延在するx方向に対して� ��直な方向に、チャネル領域48Cを挟んで一対� ��ソース・ドレイン領域48A,48Bのそれぞれが並 ぶように設けられている。

 そして、画素スイッチング素子31におい� �、ソース電極53は、図5に示すように、一方� �ソース・ドレイン領域48Aに電気的に接続す� �ように設けられており、ドレイン電極54は、 他方のソース・ドレイン領域48Aに電気的に接 続するように設けられている。そして、図4� �示すように、ソース電極53は、データ線S1に� ��ンタクト(図示なし)を介して接続されてお� �、ドレイン電極54は、画素電極62aにコンタク ト(図示なし)を介して接続されている。ここ� ��は、ソース電極53とドレイン電極54とのそれ ぞれは、アルミニウムなどの導電材料を用い て形成されている。

 TFTアレイ基板201において、画素電極62aは� ��図3に示すように、TFTアレイ基板201において 対向基板202に対面する面の側に形成されてい る。

 ここでは、画素電極62aは、図3に示すよう に、TFTアレイ基板201において共通電極62bを被 覆するように絶縁材料で形成された絶縁膜60c の上に設けられている。たとえば、シリコン 窒化膜として形成された絶縁膜60c上に設けら れている。この画素電極62aは、図3に示すよ� �に、カラーフィルタ層21を構成する赤フィル タ層21Rと緑フィルタ層21Gと青フィルタ層21Bと のそれぞれに対応するように設けられている 。画素電極62は、いわゆる透明電極であって� ��たとえば、ITOを用いて形成されている。

 また、図4に示すように、画素電極62aは、 画素スイッチング素子31のドレイン電極54に� �気的に接続されている。そして、画素電極62 aは、画素スイッチング素子31から映像信号と して供給される電位によって、共通電極62bと の間において、横電界を生じさせ、液晶層203 に電圧を印加する。

 本実施形態においては、液晶パネル200がF FS方式であるので、画素電極62aは、図4に示す ように、TFTアレイ基板201において対向基板202 に対面するxy面の方向においては、櫛歯形状� ��形成されている。

 具体的には、図4に示すように、画素電極 62aは、基幹部62akと、枝部62aeとを有する。

 画素電極62aにおいて、基幹部62akは、図4� �示すように、x方向に延在している。ここで� ��、図4に示すように、x方向に延在するゲー� �線G1が、y方向において間隔を隔てて並ぶ複� �設けられており、そのy方向に並ぶ複数のゲ� ��ト線G1の間において、2本の基幹部62akが設け られている。

 そして、画素電極62aにおいて、枝部62aeは 、図4に示すように、基幹部62akに接続されて� ��り、x方向およびy方向と異なる方向であっ� �、y方向に対して傾斜する方向に延在してい� ��。この枝部62aeは、図4に示すように、x方向� ��おいて、複数が間隔を隔てて並ぶように配� ��されており、その複数のそれぞれは、一端� ��が基幹部62akに接続され、互いに平行になる ように延在している。本実施形態においては 、図4に示すように、x方向およびy方向と異な る方向であって、y方向に対して傾斜する方� �に延在するデータ線S1が、x方向において間� �を隔てて並ぶ複数設けられており、そのy方� ��に並ぶ複数のゲート線G1の間において、た� �えば、4本の枝部62aeが設けられている。そし て、データ線S1が延在する方向に沿って延在� ��るように、枝部62aeが形成されている。ここ では、枝部62aeは、y方向に対して、2°以上で� ��って45°以下の角度範囲において傾斜した方 向に延在することが好ましく、本実施形態に おいては、たとえば、20°の角度で傾斜させ� �いる。

 TFTアレイ基板201において、共通電極62bは� ��図3に示すように、TFTアレイ基板201において 対向基板202に対面する面の側に形成されてい る。ここでは、共通電極62bは、TFTアレイ基板 201に形成された平坦化膜60bの上に設けられて いる。たとえば、アクリル樹脂などの有機化 合物によって形成された平坦化膜60b上に設け られている。共通電極62bは、いわゆる透明電 極であって、たとえば、ITOを用いて形成され ている。共通電極62bは、複数の画素Pに対応� �るように複数設けられた画素電極62aのそれ� �れに、絶縁膜60cを介して対面している。本� �施形態においては、液晶パネル200がFFS方式� �あるので、共通電極62bは、TFTアレイ基板201� �おいて対向基板202に対面するxy面の方向にお いて、画素領域PAの全面を被覆するように、� ��タ状に形成されている。

 TFTアレイ基板201において、データ線S1は� �図3に示すように、TFTアレイ基板201において� ��向基板202に対面する面の側に形成されてい� ��。ここでは、データ線S1は、TFTアレイ基板20 1に形成された層間絶縁膜60aの上に設けられ� �いる。

 このデータ線S1は、図4に示すように、た� ��えば、アルミニウムなどの金属材料を用い� ��形成されている。そして、データ線S1は、� �素スイッチング素子31のソース電極53に電気� ��に接続されている。

 また、データ線S1は、図4に示すように、� ��数がx方向において間隔を隔てて設けられて いる。ここでは、データ線S1は、複数の画素P にてx方向に並ぶ複数の画素Pを区画するよう� ��複数設けられている。

 本実施形態においては、データ線S1は、� �4に示すように、傾斜部S1kと、水平部S1xと、� ��出し部S1hとを含み、複数の画素Pにおいて、 y方向に並ぶ複数の画素Pに対応するように形� ��されている。

 データ線S1の傾斜部S1kは、図4に示すよう� ��、画素領域PAにおいてx方向およびy方向と異 なる方向であって、y方向に対して傾斜する� �向に延在している。このデータ線S1の傾斜部 S1kは、画素電極62aの枝部62aeと同様に、画素� �域PAにおいてy方向に対して、2°以上であっ� �45°以下の角度範囲において傾斜した方向に� ��在していることが好ましく、本実施形態に� ��いては、たとえば、20°の角度で傾斜してい る。

 そして、データ線S1の水平部S1xは、図4に� ��すように、画素領域PAにおいてx方向に延在� ��ている。具体的には、水平部S1xは、図4に示 すように、傾斜部S1kの上端部に接続しており 、その上端部からx方向の左側へ延在してい� �。そして、水平部S1xは、隣接する他の画素P� ��サブ画素に設けられたデータ線S1の傾斜部S1 kの下端部に接続されている。本実施形態に� �いては、この水平部S1xは、図4に示すように� ��x方向に延在するように設けられたゲート線 G1に対して、オーバーラップするように設け� ��れている。

 そして、データ線S1の引出し部S1hは、図4� ��示すように、コの字を描くように形成され� ��いる。具体的には、引出し部S1hは、図4に示 すように、画素領域PAにおいて、傾斜部S1kの� ��端部からy方向の上側に延在された後に、x� �向の右側に延在され、その後、y方向の下側� ��延在されて、画素スイッチング素子31のソ� �ス電極53に接続されている。

 TFTアレイ基板201において、ゲート線G1は� �図3においては図示していないが、図5に示し たゲート電極45と一体になるように、TFTアレ� ��基板201の面に形成されている。つまり、ゲ� ��ト線G1は、図4に示すように、画素スイッチ� ��グ素子31のゲート電極45に電気的に接続され ており、TFTアレイ基板201において対向基板202 に対面する側の面に形成されており、図3に� �した層間絶縁膜60aによって被覆されている� �ここでは、ゲート線G1は、図4に示すように� �たとえば、モリブデンなどの金属材料を用� �て形成されている。このゲート線G1は、図4� �示すように、x方向に延在しており、複数の� ��素Pにてy方向に並ぶ複数の画素Pを区画する� ��うに複数がy方向に間隔を隔てて設けられて いる。そして、この複数のゲート線G1は、図1 に示した垂直駆動回路11に接続されており、� ��像表示の実施の際においては、順次、走査� ��号が供給され、各画素スイッチング素子31� �オン状態にする。

 上記の液晶パネル200を構成する対向基板2 02の詳細について説明する。

 対向基板202に設けられているカラーフィ� ��タ層21は、図3に示すように、対向基板202に� ��TFTアレイ基板201に対面する側の面に形成さ� ��ている。カラーフィルタ層21は、赤と緑と� �との3原色を1組として構成されており、赤フ ィルタ層21Rと緑フィルタ層21Gと青フィルタ層 21Bとを含む。たとえば、赤フィルタ層21Rと緑 フィルタ層21Gと青フィルタ層21Bとのそれぞれ は、その色に対応した着色顔料とフォトレジ スト材料とを含む塗布液を、スピンコート法 などのコーティング方法によって塗布して塗 膜を形成後、リソグラフィ技術によって、そ の塗膜をパターン加工し形成される。ここで は、たとえば、ポリイミド樹脂をフォトレジ スト材料として用いる。赤フィルタ層21Rと緑 フィルタ層21Gと青フィルタ層21Bとのそれぞれ は、バックライト300から出射された照明光R� �着色されて、TFTアレイ基板201の側から対向� �板202の側へ透過するように構成されている� �具体的には、赤フィルタ層21Rは、白色の照� �光Rを赤色に着色し、緑フィルタ層21Gは、照� ��光Rを緑色に着色し、青フィルタ層21Bは、照 明光Rを青色に着色して透過するように構成� �れている。

 図6は、本発明にかかる実施形態1におい� �、対向基板202の要部を示す平面図である。

 図6に示すように、カラーフィルタ層21を� ��成する赤フィルタ層21Rと緑フィルタ層21Gと� ��フィルタ層21Bとのそれぞれは、x方向に並ぶ ように形成されている。ここでは、各部は、 上述した画素電極62aに対応するように形成さ れており、本実施形態においては、図6に示� �ように、画素電極62aの枝部62aeと同様に、y方 向に対して傾斜する方向に延在している。

 上記の液晶パネル200を構成する液晶層203� ��詳細について説明する。

 液晶パネル200において、液晶層203は、図3 に示すように、TFTアレイ基板201と対向基板202 との間にて挟持されている。

 そして、液晶層203は、TFTアレイ基板201お� ��び対向基板202において、互いに対面する面� ��それぞれに形成された液晶配向膜(図示なし )によって、配向されている。この液晶層203� �、TFTアレイ基板201と対向基板202とが対面す� �xy面の方向に、液晶分子の長手方向が沿うよ うに、配向処理されている。ここでは、液晶 層203は、ポジ型液晶を用いて構成されている 。

 本実施形態においては、液晶層203は、画� ��領域PAにおいてx方向およびy方向と異なる方 向であって、y方向に対して傾斜する方向に� �晶分子が配向されている。具体的には、液� �層203は、画素電極62aの枝部62aeおよびデータ� ��S1の傾斜部S1kが、画素領域PAにおいてy方向� �対して傾斜した角度に、たとえば、5°の角� �θで更に傾斜するように、液晶分子が配向さ れている。つまり、図4に示すように、画素� �極62aの枝部62aeおよびデータ線S1の傾斜部S1k� �画素領域PAにおいて延在する方向に対して、 たとえば、5°の角度θで傾斜する方向をラビ� ��グ方向RHとして、ラビング処理を実施する� �とで、液晶層203は、配向処理されている。� �お、画素電極62aの枝部62aeおよびデータ線S1� �傾斜部S1kが画素領域PAにおいて延在する方向 に対して傾斜させる角度θは、2°以上であっ� ��、45°以下の範囲が好ましい。そして、この 液晶層203の配向方向に第1の偏光板206の光透� �軸が対応するように、液晶パネル200の光入� �側に第1の偏光板206が配置される。そして、� ��2の偏光板207の光透過軸が、この第1の偏光� �206の光透過軸に対して直交するように、液� �パネル200の光出射側に第2の偏光板207が配置� ��れる。

 以上のように、本実施形態においては、� ��素電極62aの枝部62aeは、画素領域PAにおいてx 方向およびy方向と異なる方向であって、y方� ��に対して傾斜する方向に延在している。ま� ��、液晶層203は、同様に、画素領域PAにおい� �x方向およびy方向と異なる方向であって、y� �向に対して傾斜する方向に液晶分子が配向� �れている。

 このため、本実施形態において、透過軸� ��画素領域PAにおけるx方向またはy方向にある 偏光素子を含む偏光サングラスをかけたユー ザーが、その画素領域PAにて表示される画像� ��、その偏光素子を介して観察する際におい� ��は、ランドスケープとポートレートとのい� ��れかの状態においても、その液晶パネル200� ��第2の偏光板207とを光が透過する透過軸に対 して、この偏光素子を光が透過する透過軸が 、大きく相違しない。したがって、本実施形 態は、画面に表示される画像を、ユーザーが 視認する視認性が向上する。

 そして、本実施形態においては、画素電� ��62aの枝部62aeと同様に、データ線S1の傾斜部S 1kについても、画素領域PAにおいてx方向およ� ��y方向と異なる方向であって、y方向に対し� �傾斜する方向に延在させている。ここでは� �画素電極62aの枝部62aeの傾斜角度と、データ� ��S1の傾斜部S1kの傾斜角度とが一致しており� �画素電極62aの枝部62aeと、データ線S1の傾斜� �S1kとが同じ方向に沿って延在している。

 このため、本実施形態は、画素領域PAに� �いて、光が透過しないドメインが発生する� �とを抑制可能であるので、光透過率を向上� �せることができ、画像品質を向上させるこ� �ができる。

 特に、本実施形態においては、データ線S 1の傾斜部S1kと、画素電極62aの枝部62aeとのそ� ��ぞれを、画素領域PAにおいてy方向に対して� ��2°以上であって45°以下の角度範囲において 傾斜した方向に延在させている。2°未満の場 合には、効果を十分に奏することができない 場合があり、45°を超える場合には、光透過� �が低下する場合がある。このため、液晶パ� �ル200と第2の偏光板207とを光が透過する透過� ��に対して、この偏光素子にて光が透過する� ��過軸が、大きく相違しないので、より好適� ��ある。なお、画素領域PAにおいてy方向に対� ��て、45°の角度で傾斜した方向に延在させた 場合が、画素領域PAがランドスケープと、ラ� ��ドスケープに対して垂直な方向になるポー� ��レートと中間の位置に透過軸が沿うことに� ��るので、最も好適である。

 また、本実施形態においては、ゲート線G 1は、複数の画素Pにてx方向に並ぶ複数の画素 Pのサブ画素を区画するように複数がx方向に� ��隔を隔てて設けられている。また、データ� ��S1は、y方向に対して傾斜する方向に並ぶ複� ��の画素Pに接続するように形成されておらず 、複数の画素Pにてy方向に並ぶ複数の画素Pを 区画するように複数がy方向に間隔を隔てて� �けられている。

 つまり、画素の重心を保持したまま、画� ��電極62aの枝部62aeと、データ線S1の傾斜部S1k� ��を、画素領域PAにおいてx方向およびy方向と 異なる方向であって、y方向に対して傾斜さ� �ている。

 このため、本実施形態は、線順次方式に� ��表示させるための走査信号およびデータ信� ��を、別途、変換する信号処理を実施するこ� ��が不要であるので、製造コストのアップを� ��制し、画像品質の向上を実現できる。

<実施形態2>
 以下より、本発明にかかる実施形態2につい て説明する。

 図7は、本発明にかかる実施形態2におい� �、画素領域PAに設けられた画素PにおけるTFT� �レイ基板201の要部を模式的に示す平面図で� �る。

 本実施形態は、図7に示すように、実施形 態1に対して、画素電極62aとデータ線S1とが異 なる。この点を除き、本実施形態は、実施形 態1と同様である。このため、重複する個所� �ついては、説明を省略する。

 本実施形態の画素電極62aにおいては、図7 に示すように、枝部62aeが、y方向に対して、� ��施形態1の場合よりも、大きな角度で傾斜す るように形成されている。たとえば、30°の� �度で傾斜している。

 また、本実施形態のデータ線S1において� �、図7に示すように、傾斜部S1kと、水平部S1x� ��、引出し部S1hとの他に、屈折部S1pを含む。

 データ線S1の傾斜部S1kは、図7に示すよう� ��、実施形態1と同様に形成されているが、本 実施形態においては、枝部62aeと同様に、画� �領域PAにおいてy方向に対して、30°の角度で� ��斜している。

 そして、データ線S1の水平部S1xおよびデ� �タ線S1の引出し部S1hは、図7に示すように、� �施形態1と同様に、形成されている。

 そして、データ線S1の屈折部S1pは、図7に� ��すように、画素領域PAにおいて隣接する画� �Pのサブ画素に対応するように設けられた他� ��データ線S1から間隔を隔てるように、x方向� ��y方向とに階段状に屈折している。具体的に は、屈折部S1pは、図7に示すように、画素領� �PAにおいて、水平部S1xの左側の端部からy方� �の上側に延在され、その点からx方向の左側� ��延在されており、隣接する他の画素Pに設け られたデータ線S1の傾斜部S1kの下端部に接続� ��れている。

 図8は、本発明にかかる実施形態2におい� �、屈折部S1pを設けずに、データ線S1を形成し た場合にて、画素領域PAに設けられた画素Pに おけるTFTアレイ基板201の要部を模式的に示す 平面図である。

 本実施形態のように、画素電極62aの枝部6 2aeを、y方向に対して大きな角度で傾斜させ� �場合において、屈折部S1pを設けずに、デー� �線S1を形成した場合には、画素領域PAにおい� ��隣接する画素Pのサブ画素に対応するように 設けられた他のデータ線S1に接触しやすくな� ��。この場合には、誤動作などが生じ、画像� ��質が低下する場合がある。

 このため、本実施形態においては、図7に 示したように、データ線S1について、屈折部S 1pを含むように形成している。

 したがって、本実施形態においては、デ� ��タ線S1の傾斜部S1kと、画素電極62aの枝部62ae� ��のそれぞれを、画素領域PAにおいてy方向に� ��して、45°の角度に近い角度に傾斜させるこ とが可能である。そして、この傾斜角度の制 限が無くなるので、さらに、視認性を向上さ せることができると共に、他のデータ線S1に� ��触することを容易に防止可能であるので、� ��像品質が低下する不具合の発生を防止する� ��とができる。

<実施形態3>
 以下より、本発明にかかる実施形態3につい て説明する。

 図9は、本発明にかかる実施形態3におい� �、画素領域PAに設けられた画素PにおけるTFT� �レイ基板201の要部を模式的に示す平面図で� �る。

 本実施形態は、図9に示すように、実施形 態1に対して、画素電極62aとデータ線S1とが異 なる。この点を除き、本実施形態は、実施形 態1と同様である。このため、重複する個所� �ついては、説明を省略する。

 本実施形態のデータ線S1においては、図9� ��示すように、傾斜部S1kは、第1傾斜部S1kaと� �第2傾斜部S1kbとを含む。

 ここでは、第1傾斜部S1kaは、図9に示すよ� ��に、画素領域PAにおいてx方向およびy方向と 異なる方向であって、y方向に対して傾斜す� �方向に延在している。この第1傾斜部S1kaは、 画素Pの下端部分から中央部分まで、延在し� �いる。そして、この第1傾斜部S1kaは、画素領 域PAにおいてy方向に対して、2°以上であって 45°以下の角度範囲において傾斜した方向に� �在していることが好ましく、本実施形態に� �いては、たとえば、25°の角度で傾斜してい� ��。

 また、第2傾斜部S1kbは、図9に示すように� ��画素領域PAにおいてx方向およびy方向と異な る方向であると共に、上記の第1傾斜部S1kaが� ��在する延在方向と異なる方向に延在してい� ��。この第2傾斜部S1kbは、画素Pの中央部分か� ��上端部分まで、延在している。この第2傾斜 部S1kaは、画素領域PAにおいてy方向に対して� �2°以上であって45°以下の角度範囲において� ��斜した方向に延在していることが好ましく� ��本実施形態においては、たとえば、15°の角 度で傾斜している。

 そして、本実施形態の画素電極62aにおい� ��は、枝部62aeは、図9に示すように、傾斜部S1 kの第1傾斜部S1kaと第2傾斜部S1kbとが延在する� ��向に沿うように形成されている。つまり、� ��部62aeは、画素Pの下端部分から中央部分ま� �の間においては、第1傾斜部S1kaと同様に、y� �向に対して、たとえば、25°の角度で傾斜し� ��いる。そして、枝部62aeは、画素Pの中央部� �から上端部分までの間においては、第2傾斜� ��S1kbと同様に、y方向に対して、たとえば、15 °の角度で傾斜している。

 また、本実施形態においては、図9に示す ように、第1傾斜部S1kaの延在方向と、第2傾斜 部S1kbの延在方向とに対して、たとえば、絶� �値が5°の角度で傾斜する方向をラビング方� �としてラビング処理が実施され、液晶層203� �配向処理されている。つまり、第1傾斜部S1ka の延在方向とラビング方向との間の角度θ1、 および、第2傾斜部S1kbの延在方向とラビング� ��向との間の角度θ2のそれぞれが、互いに同� ��角度になるように(つまり、θ1=θ2)、ラビン� ��処理を実施することによって、液晶層203に� ��いて配向処理している。

 このように各部を設けることによって、� ��実施形態においては、液晶パネル200がデュ� ��ルドメイン構造になるように形成されてい� ��。

 以上のように、本実施形態の液晶パネル2 00は、画素P内に2つのドメインを含むデュア� �ドメイン構造であって、データ線S1において 傾斜部S1kは、互いにy方向に対して傾斜する� �度が異なる第1傾斜部S1kaと第2傾斜部S1kbとを� ��み、第1傾斜部S1kaと第2傾斜部S1kbとのそれぞ れが、画素領域PAの一の画素Pに対応するよう に設けられている。そして、画素電極62aの枝 部62aeは、この第1傾斜部S1kaと第2傾斜部S1kbと� ��延在する方向に沿うように、形成されてい� ��。

 このため、本実施形態は、実施形態1と同 様に、画素領域PAにおいて、光が透過しない� ��メインが発生することを抑制可能であるの� ��、光透過率を向上させることができ、画像� ��質を向上させることができる。

<実施形態4>
 以下より、本発明にかかる実施形態4につい て説明する。

 図10は、本発明にかかる実施形態4におい� ��、画素領域PAに設けられた画素PにおけるTFT� ��レイ基板201の要部を模式的に示す平面図で� ��る。図10においては、y方向に並ぶ画素Pにお いて、偶数行と奇数行とに設けられた2つの� �素Pについて示している。

 本実施形態は、図10に示すように、実施� �態1に対して、画素電極62aとデータ線S1とが� �なる。この点を除き、本実施形態は、実施� �態1と同様である。このため、重複する個所� ��ついては、説明を省略する。

 本実施形態のデータ線S1においては、図10 に示すように、データ線S1の傾斜部S1kは、第1 傾斜部S1kaと、第2傾斜部S1kbとを含む。

 ここでは、第1傾斜部S1kaは、図10に示すよ うに、y方向に並ぶ画素Pにおいて、偶数行と� ��数行との一方に設けられている。たとえば� ��奇数行に対応するように設けられている。� ��して、第1傾斜部S1kaは、画素領域PAにおいて x方向およびy方向と異なる方向であって、y方 向に対して傾斜する方向に延在している。こ の第1傾斜部S1kaは、たとえば、奇数行の画素P の下端部分から上端部分まで延在している。 そして、この第1傾斜部S1kaは、画素領域PAに� �いて、y方向に対して、2°以上であって45°以 下の角度範囲において傾斜した方向に延在し ていることが好ましく、本実施形態において は、たとえば、25°の角度で傾斜している。

 また、第2傾斜部S2kbは、図10に示すように 、y方向に並ぶ画素Pにおいて、偶数行と奇数� ��との一方に設けられている。たとえば、第1 傾斜部S1kaが奇数行に対応するように設けら� �ている場合には、第2傾斜部S2kbは、偶数行の 画素Pに対応するように設けられている。そ� �て、第2傾斜部S1kbは、画素領域PAにおいてx方 向およびy方向と異なる方向であると共に、� �記の第1傾斜部S1kaが延在する延在方向と異な る方向に延在している。この第2傾斜部S1kbは� ��たとえば、偶数行の画素Pの下端部分から上 端部分まで延在している。そして、この第2� �斜部S1kbは、画素領域PAにおいて、y方向に対� ��て、2°以上であって45°以下の角度範囲にお いて傾斜した方向に延在していることが好ま しく、本実施形態においては、たとえば、15� �の角度で傾斜している。

 そして、本実施形態の画素電極62aにおい� ��は、枝部62aeは、図10に示すように、傾斜部S 1kの第1傾斜部S1kaと第2傾斜部S1kbとのそれぞれ が延在する方向に沿うように形成されている 。つまり、枝部62aeは、y方向に並ぶ複数の画� ��Pにて奇数行に対応する画素Pにおいては、� �1傾斜部S1kaと同様に、y方向に対して、たと� �ば、25°の角度で傾斜している。また、枝部6 2aeは、y方向に並ぶ複数の画素Pにて偶数行に� ��応する画素Pにおいては、第2傾斜部S1kbと同� ��に、y方向に対して、たとえば、15°の角度� �傾斜している。

 また、本実施形態においては、図10に示� �ように、第1傾斜部S1kaの延在方向と、第2傾� �部S1kbの延在方向とに対して、たとえば、絶� ��値が5°の角度で傾斜する方向にラビング処� ��が実施され、液晶層203が配向処理されてい� ��。つまり、第1傾斜部S1kaの延在方向とラビ� �グ方向との間の角度θ1、および、第2傾斜部S 1kbの延在方向とラビング方向との間の角度θ2 のそれぞれが、互いに同じ角度になるように (つまり、θ1=θ2)、ラビング処理を実施するこ とによって、液晶層203について配向処理して いる。

 このように各部を設けることによって、� ��実施形態においては、液晶パネル200が擬似� ��ュアルドメイン構造になるように形成され� ��いる。

 以上のように、本実施形態の液晶パネル2 00は、隣接する2つの画素Pの間においてドメ� �ンが異なるように形成された擬似デュアル� �メイン構造であって、データ線S1において傾 斜部S1kは、互いにy方向に対して傾斜する角� �が異なる第1傾斜部S1kaと第2傾斜部S1kbとを含� ��。そして、第1傾斜部S1kaと第2傾斜部S1kbとの それぞれが、画素領域PAにてy方向に並ぶ複数 の画素Pにおいて、交互に並ぶように配置さ� �ている。そして、画素電極62aの枝部62aeは、� ��の第1傾斜部S1kaと第2傾斜部S1kbとが延在する 方向に沿うように、形成されている。

 このため、本実施形態は、実施形態1と同 様に、画素領域PAにおいて、光が透過しない� ��メインが発生することを抑制可能であるの� ��、光透過率を向上させることができ、画像� ��質を向上させることができる。

 本発明の実施に際しては、上記した実施� ��形態に限定されるものではなく、種々の変� ��形態を採用することができる。

 たとえば、上記の実施形態においては、� ��ート線G1をx方向に沿うように形成し、デー� ��線S1をy方向に沿うように形成せずに、傾斜� ��せて形成する場合について説明したが、こ� ��に限定されない。たとえば、ゲート線G1をx� ��向に沿うように形成せずに、傾斜させて形� ��し、データ線S1をy方向に沿うように形成す� ��場合においても、同様な効果を得ることが� ��きる。また、たとえば、ゲート線G1をx方向� ��対して傾斜させて形成すると共に、データ� ��S1をy方向に対して傾斜するように形成する� ��合においても、同様な効果を得ることがで� ��る。

 また、たとえば、上記の実施形態におい� ��は、データ線S1の傾斜部S1kが延在する方向� �沿うように、画素電極62aの枝部62aeを延在さ� ��て形成する場合について説明した。つまり� ��データ線S1の傾斜部S1kの傾斜角度と、画素� �極62aの枝部62aeの傾斜角度とを一致させる場� ��について説明したが、これに限定されず、� ��ータ線S1の傾斜角度と、画素電極62aの枝部62 aeの傾斜角度とを一致させなくてもよい。た� ��し、光が透過しないドメインが発生するこ� ��を抑制するため、データ線S1の傾斜部S1kの� �斜角度と、画素電極62aの枝部62aeの傾斜角度� ��を一致させた方が、好適である。さらに、� ��記の実施形態においては、ポジ型液晶を液� ��層203に用いた場合にてついて説明したが、� ��れに限定されず、ネガ型液晶を用いて構成� ��ても良い。この場合においては、配向軸を9 0°反転させることで適用可能である。たとえ ば、図4においては、x方向に対して、たとえ� ��、5°の角度が下方へ傾斜した方向を、配向� ��向(ラビング方向)にする。

 また、たとえば、本実施形態においては� ��画素スイッチング素子31を、ボトムゲート� �の薄膜トランジスタとして構成する場合に� �いて説明したが、これに限定されない。た� �えば、トップゲート型の薄膜トランジスタ� �用いて構成しても良い。

 また、上記の実施形態においては、FFS方� ��に適用する場合について説明したが、これ� ��限定されない。たとえば、IPS(In-Plane-Swiching) 方式などに適用可能である。

 また、本実施形態の液晶表示装置100は、� ��まざまな電子機器の部品として適用するこ� ��ができる。たとえば、デジタルスチルカメ� ��、ビデオカメラなどの電子機器において適� ��可能である。

 なお、上記の実施形態において、液晶表� ��装置100は、本発明の表示装置に相当する。� ��た、上記の実施形態において、液晶パネル2 00は、本発明の表示パネルに相当する。また� ��上記の実施形態において、液晶層203は、本� ��明の液晶層に相当する。また、上記の実施� ��態において、画素電極62aは、本発明の画素� ��極に相当する。また、上記の実施形態にお� ��て、基幹部62akは、本発明の基幹部に相当す る。また、上記の実施形態において、枝部62a eは、本発明の枝部に相当する。また、上記� �実施形態において、共通電極62bは、本発明� �共通電極に相当する。また、上記の実施形� �において、ゲート線G1は、本発明の第1の配� �に相当する。また、上記の実施形態におい� �、データ線S1は、本発明の第2の配線に相当� �る。また、上記の実施形態において、傾斜� �S1kは、本発明の傾斜部に相当する。また、� �記の実施形態において、第1傾斜部S1kaは、本 発明の第1傾斜部に相当する。また、上記の� �施形態において、第2傾斜部S1kbは、本発明の 第2傾斜部に相当する。また、上記の実施形� �において、x方向は、本発明の第1の方向に相 当する。また、上記の実施形態において、y� �向は、本発明の第2の方向に相当する。また� ��上記の実施形態において、画素領域PAは、� �発明の画素領域に相当する。また、上記の� �施形態において、画素Pは、本発明の画素に� ��当する。