Title:
容量性微細加工超音波トランスデューサ及びその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2022509066
Kind Code:
A
Abstract:
容量性微細加工超音波トランスデューサは、下部電極と、上部電極と、下部電極と上部電極との間に配置され上部電極に取り付けられたメンブレンとを含む。アンカーは、下部電極とメンブレンとの間にキャビティが画定されるようにメンブレンおよび下部電極に接続される。１つ以上のポストはキャビティ内に配置され、ポストの一部がメンブレン内に埋設され、下部電極に向かって延びている。容量性微細加工超音波トランスデューサの製造方法は、アンドープシリコンのデバイス層上に酸化物成長層を形成するステップと、酸化物成長層の一部を除去して、デバイス層の外側表面を超えて延びる複数のアンカーと、ポストホールの内部に部分的に埋設されデバイス層の外側表面を超えて延びる複数のポストとを形成するステップとを含む。
Inventors:
Gross, Dominique
Menie, Cyril
Senegondo, Nicholas
Menie, Cyril
Senegondo, Nicholas
Application Number:
JP2021526659A
Publication Date:
January 20, 2022
Filing Date:
November 15, 2019
Export Citation:
Assignee:
VERMON S.A.
International Classes:
H04R19/00; B81B3/00; B81C1/00; H04R31/00
Attorney, Agent or Firm:
Shintaro Nogawa
Shinji Kai
Yusuke Kaneko
Kiyoshi Inamoto
Masami Tomita
Hideki Yasuda
Hiroshi Sumikawa
Shinji Kai
Yusuke Kaneko
Kiyoshi Inamoto
Masami Tomita
Hideki Yasuda
Hiroshi Sumikawa
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