Title:
濃縮されたケイ素前駆体組成物およびこれを利用するための装置および方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2016524793
Kind Code:
A
Abstract:
ケイ素前駆体組成物の同位体濃縮を行わない、対応するイオン注入に対し、イオン注入システムの性能を高めるのに有用なイオン注入として、同位体濃縮されたケイ素前駆体組成物が開示される。ケイ素ドーパント組成物は、２８Ｓｉ、２９Ｓｉおよび３０Ｓｉのうち少なくとも１つにおいて天然存在度より同位体が濃縮された、少なくとも１つのケイ素化合物を含み、同種のガスおよび希釈ガスの少なくとも１つを含む補助ガスを含んでいてもよい。このようなケイ素ドーパント組成物をイオン注入部に提供するためのドーパントガス供給装置、およびこのようなドーパントガス供給装置を備えるイオン注入システムが記載される。
Inventors:
James Jay, Mayer
Ray, Richard Es
Kaim, robert
Sweeney, Joseph Dee
Ray, Richard Es
Kaim, robert
Sweeney, Joseph Dee
Application Number:
JP2016515059A
Publication Date:
August 18, 2016
Filing Date:
May 21, 2014
Export Citation:
Assignee:
Entegris Incorporated
International Classes:
H01J37/317; H01J27/02; H01J37/08; H01L21/265
Domestic Patent References:
| JPS6295820A | 1987-05-02 | |||
| JP2013521596A | 2013-06-10 | |||
| JP2014502409A | 2014-01-30 | |||
| JPS61181525A | 1986-08-14 |
Foreign References:
| WO2011106750A2 | 2011-09-01 | |||
| US20120142174A1 | 2012-06-07 |
Other References:
鈴木 裕、荒木 弘、野田 哲二: "赤外レーザーによるＳｉ２Ｆ６の同位体選択分解に及ぼす波長効果", 日本金属学会誌, vol. 第５８巻、第９号, JPN6018017187, 1994, JP, pages 1101 - 1102, ISSN: 0003954682
鈴木 裕、荒木 弘、野田 哲二: "赤外レーザ照射によるＳｉ同位体の濃縮", 日本金属学会誌, vol. 第６１巻 第２号, JPN6018017185, 1997, JP, pages 145 - 152, ISSN: 0003793869
鈴木 裕、荒木 弘、野田 哲二: "赤外レーザ照射によるＳｉ同位体の濃縮", 日本金属学会誌, vol. 第６１巻 第２号, JPN6018017185, 1997, JP, pages 145 - 152, ISSN: 0003793869
Attorney, Agent or Firm:
Kawaguchi International Patent Office