シーディングまたは触媒を使わずにパルスレーザー堆積法によって成長させた無転位半導体ナノ構造

Japanese Patent JP2022519737

A

半導体ナノ構造を基板上に形成するための方法がある。この方法は、基板（１０５）および半導体材料（１１０）をパルスレーザー堆積チャンバー（１１５）内に置くステップ（１３００）と、レーザービーム（１２０）のフルエンス、チャンバー（１１５）内の圧力Ｐ、基板（１０５）の温度Ｔ、半導体材料（１１０）と基板（１０５）との間の距離ｄ、およびストランスキー・クラスタノフ核生成の条件が生成されるようにチャンバー（１１５）内に置かれるべきガス（１１３）のガス分子直径ａ０を含むパラメータを選択するステップ（１３０２）と、選択されたフルエンスを有するレーザービーム（１２０）を半導体材料（１１０）に印加して半導体材料（１１０）のプルームを形成するステップ（１３０４）とを含む。選択されたパラメータは、プルームから、（１）基板（１０５）を覆うナノ層（３０７）、（２）ナノ層（３０７）の上の多結晶濡れ層（３０９）、および（３）多結晶濡れ層（３０９）の上の単結晶ナノフィーチャ（３１５）の形成を決定し、単結晶ナノフィーチャ（３１５）は、触媒またはシーディング層なしで成長させられる。

Iman Salem Lokan
Daifala Rahim Al Malawi

JP2021546339A

March 24, 2022

February 10, 2020

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King Abdullah University of Science and Technology

H01L21/203; H01L21/20; H01L31/0352; H01L31/072; H01L31/10; H01L33/04; H01L51/42; H01L51/44; H01S5/30

Murayama Yasuhiko
Shinya Mihiro
Tatsuhiko Abe

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