Title:
ＭＥＭＳレゾネータおよびその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2023530743
Kind Code:
A
Abstract:
【要約書】単結晶シリコンの第1層と、単結晶シリコンの第2層と、前記第1層と前記第2層との間に設けられた圧電体層とを備えるMEMSレゾネータ。このMEMSレゾネータ製造する方法であって、単結晶シリコン層と圧電体層との間のインターフェースがウェハボンディングで作製される、方法。【要約書】図3
Inventors:
Oya Arne
Application Number:
JP2022578593A
Publication Date:
July 19, 2023
Filing Date:
July 01, 2021
Export Citation:
Assignee:
KYOCERA TIKITIN OY
International Classes:
H03H9/24; B81B3/00; B81C1/00; H03H3/007
Attorney, Agent or Firm:
Mitsunori Kawamorida
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