Title:
磁気デバイス
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6545853
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】 新規の磁気デバイスを提供する。【解決手段】実施形態の磁気デバイスは、導電層２０に配置され、制御端子１９を有する磁気抵抗効果素子１０と、第１の方向の第１の電流Ｉｗｒ１を導電層２０内に供給し、第１の制御端子１９に制御電圧ＣＮＴを印加する第１の回路と、を含み、第１の電流Ｉｗｒ１が導電層２０に供給された場合、磁気抵抗効果素子１０は、磁気抵抗効果素子１０内の第１のデータＭＤの第１の値と第２のデータに対応する制御電圧ＣＮＴの第２の値との論理和に対応する値ＰＲを保持する。【選択図】 図７
Inventors:
Tomoaki Iguchi
Naoji Shimomura
Katsuhiko Koi
Yuzo Ueguchi
Kazutaka Ikegami
Shinobu Fujita
Hiroaki Yoda
Naoji Shimomura
Katsuhiko Koi
Yuzo Ueguchi
Kazutaka Ikegami
Shinobu Fujita
Hiroaki Yoda
Application Number:
JP2018053007A
Publication Date:
July 17, 2019
Filing Date:
March 20, 2018
Export Citation:
Assignee:
Toshiba Corporation
International Classes:
G06F12/00; G11C11/16; H03K19/18
Domestic Patent References:
| JP2017112351A | ||||
| JP2016532919A | ||||
| JP2007228574A | ||||
| JP2007103663A | ||||
| JP2017510016A | ||||
| JP2018107626A |
Attorney, Agent or Firm:
Kurata Masatoshi
Nobuhisa Nogawa
Takashi Mine
Naoki Kono
Tadashi Inoue
Ukai Ken
Nobuhisa Nogawa
Takashi Mine
Naoki Kono
Tadashi Inoue
Ukai Ken