Title:
磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、及び、該磁気抵抗効果素子の成膜方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2020045655
Kind Code:
A1
Abstract:
四重界面を備える磁気抵抗効果素子において、抵抗面積積ＲＡが小さく、磁気抵抗比が大きく、かつ、実効磁気異方性エネルギー密度Ｋeffｔ*も大きい磁気抵抗効果素子を提供する。磁気抵抗効果素子は、第１の参照層（Ｂ１）と第１の接合層（１１）と第１の分割記録層（２）と第２の接合層（１２）と第２の分割記録層（３）と第３の接合層（１３）とを備え、前記第１の分割記録層（２）は高い磁気抵抗比（ＭＲ比）を有する構成であり、前記第２の分割記録層（３）は高い実効磁気異方性エネルギー密度（Ｋeffｔ）を有する構成である。
Inventors:
Koichi Nishioka
Tetsuro Endo
Shoji Ikeda
Hideo Sato
Hiroaki Honjo
Tetsuro Endo
Shoji Ikeda
Hideo Sato
Hiroaki Honjo
Application Number:
JP2020539646A
Publication Date:
October 14, 2021
Filing Date:
August 30, 2019
Export Citation:
Assignee:
Tohoku University
International Classes:
H01L21/8239; H01F10/32; H01L27/105; H01L43/02
Attorney, Agent or Firm:
Eichi International Patent Office