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Title:
磁気発光構造及び磁気発光素子の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP7019210
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】従来のマイクロLEDは、ロボットアームで一つずつ移動を繰り返す必要があるため、産業上のマストランスファーを満足できない。また、使われるフリップチップ接続工程も複雑でコストが高い。【解決手段】本発明は、磁気発光構造及び磁気発光素子の製造方法を提供する。前記製造方法は、第2金属層がそれぞれ第1金属層の上下面に設けられる磁気金属複合基板を提供する工程と、接続金属層及びエピタキシャル層を形成し、その上に複数の電極ユニットを設ける工程と、複合プロセスを行う工程とを有する。複合プロセスは、第1金属層の下面に位置する第2金属層及び一部の第1金属層を除去し、電極ユニット数に対応して切断することで、それぞれ1つの電極ユニットを有する複数のエピタキシャル結晶粒を形成し、磁気発光素子を形成する。本発明の製造方法によれば、元の基板の軟磁性を改善し、結晶粒の自動反転の効果を有し、産業上の高速マストランスファー技術に適用できる。【選択図】図1

Inventors:
馮祥▲アン▼
▲トウ▼家▲ウェイ▼
Rehabilitation
Chen
Application Number:
JP2020147930A
Publication Date:
February 15, 2022
Filing Date:
September 03, 2020
Export Citation:
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Assignee:
Crystal Presentation Technology Co., Ltd.
International Classes:
H01L33/48; H01L21/308
Domestic Patent References:
JP2019114651A
Attorney, Agent or Firm:
Sakuo Yamaguchi
Nobuyuki Oshima
Shinjiro Yamaguchi
Tadahiro Matsumoto