様々なドープされた半導体の製造方法

Japanese Patent JP2017519353

A

本発明は、第１組成物で覆われた半導体基板の１以上の表面域を作製するために、少なくとも１つの第１ドーパントを含有する第１組成物を、半導体基板の１以上の表面域に適用すること；第２組成物で覆われた半導体基板の１以上の表面域を作製するために、少なくとも１つの第２ドーパントを含有する第２組成物を、半導体基板の１以上の表面域に適用し、その際第１組成物で覆われた１以上の領域と第２組成物で覆われた１以上の領域が異なり、かつ著しく重なり合っておらず、その際該第１ドーパントがｎ型ドーパントであり、かつ第２ドーパントがｐ型ドーパントであり、逆もまた同様であること；第１組成物と第２組成物で覆われた半導体基板の表面域をそれぞれ、全体的に又は部分的に活性化すること；任意に、第１組成物と第２組成物で覆われた半導体基板の不活性表面域をそれぞれ酸化すること；かつドーパントが被覆物から半導体基板内に拡散する温度まで、半導体基板を加熱することを特徴とする、半導体基板をドーピングするための液相方法に関する。更に本発明は、該方法により得られる半導体とその使用、特に太陽電池の製造に関する。

Christoph Murder
Christian Gunther
Joachim Eltz
Suzanne Martin
Jamin lame cool
Stefan Trout
Odunnicke

JP2016565354A

July 13, 2017

April 17, 2015

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Evonik Degussa GmbH

H01L21/225; H01L31/068; H01L31/18

Kenji Akatsuka
Yasuyuki Sakata
Ken Shibuya

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