Title:
スルホン酸塩組成物の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP7122492
Kind Code:
B1
Abstract:
所定の不飽和カルボン酸のジエステル〔以下、（Ａ）成分という〕に、（Ｂ）（Ｂ１）有機溶剤〔以下、（Ｂ１）成分という〕及び（Ｂ２）水〔以下、（Ｂ２）成分という〕から選択される１種以上の溶媒の存在下で、（Ｃ）スルホン化剤を反応させて、（Ｓ）ジエステル構造を有する所定のスルホン酸塩〔以下、（Ｓ）成分という〕を含有する混合物を得ること、及び前記混合物中の不溶成分を除去すること、を行う、スルホン酸塩組成物の製造方法であって、前記不溶成分の除去に供される混合物において、（Ｓ）成分、（Ｂ１）成分及び（Ｂ２）成分の合計含有量に対する（Ｂ１）成分の含有量が０．０５以上０．６５以下であり、（Ｓ）成分、（Ｂ１）成分及び（Ｂ２）成分の合計含有量に対する（Ｂ２）成分の含有量が０．０３以上０．２６以下である。
Inventors:
Yoshinori Mitsuda
Keisuke Chiba
Masato Nomura
Keisuke Chiba
Masato Nomura
Application Number:
JP2022519695A
Publication Date:
August 19, 2022
Filing Date:
December 21, 2021
Export Citation:
Assignee:
Kao Corporation
International Classes:
C07C303/44; C07C303/20; C07C303/32; C07C309/17; C09K23/10
Domestic Patent References:
| JP2018529989A | 2018-10-11 | |||
| JPH08337567A | 1996-12-24 | |||
| JPS60112752A | 1985-06-19 |
Foreign References:
| US20070214999A1 | 2007-09-20 |
Attorney, Agent or Firm:
Satoshi Furuya
Yoshitsune Kazumasa
Yoshitsune Kazumasa
Previous Patent: Method for suppressing burrs in polyarylene sulfide resin composition
Next Patent: GAS CLEANING METHOD OF EPITAXIAL GROWTH FURNACE
Next Patent: GAS CLEANING METHOD OF EPITAXIAL GROWTH FURNACE