オニウム塩、レジスト組成物、及びパターン形成方法

Japanese Patent JP2024010543

A

【課題】リソグラフィーにおいて、ポジ型であってもネガ型であっても、高感度且つ解像性に優れ、ＬＷＲやＣＤＵを改善し、また、レジストパターンの倒れを抑制することができるレジスト組成物に用いる新規オニウム塩を提供する。【解決手段】下記一般式（１）で表されるものであることを特徴とするオニウム塩。TIFF2024010543000144.tif3665（式中、ＲＡＬＵは隣接する酸素原子と共に形成される、環状構造を有する３級エーテル、３級カーボネート、又はアセタールのいずれかを表す。ＲＦは、フッ素原子、炭素数１～６の含フッ素アルキル基、ニトロ基のいずれかである。また、Ｒａは、炭素数１～２０のヒドロカルビル基である。ｎ１は０又は１の整数である。ｎ２及びｎ３は１又は２の整数である。ＲＦと－Ｏ－ＲＡＬＵのうち１つずつが互いに隣接する炭素原子に結合している。ｎ４は０～３の整数である。Ｚ＋は、オニウムカチオンを表す。）【選択図】なし

Masahiro Fukushima
Jun Hatakeyama
Asami Watanabe
Kazuhiro Katayama

JP2022111933A

January 24, 2024

July 12, 2022

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Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

C07C65/21; C07C25/00; C07C65/26; C07C205/59; C07C211/63; C07C381/12; C07D333/54; C07D333/76; C09K3/00; G03F7/004; G03F7/038; G03F7/039; G03F7/20

Mikio Yoshimiya
Toshihiro Kobayashi
Toru Otsuka

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