Title:
酸化膜形成方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024013259
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】所望の成膜効率や膜特性を得られ易くすることに貢献可能な技術を提供する。【解決手段】チャンバ内に収容した被成膜対象物Ｓの被成膜面Ｓ１に形成する酸化膜Ｌにおいて、当該被成膜面Ｓ１に形成した第１膜Ｌ１と、第１膜表面Ｌ０に形成した第２膜Ｌ２と、を有してなるものとする。第１膜Ｌ１においては、ＡＬＤの酸化剤として８０体積％以上のオゾンガスのみを適用した第１成膜方法により、被成膜対象物Ｓの被成膜面Ｓ１に形成する。第２膜Ｌ２においては、第１成膜方法とは異なるＡＬＤまたはＣＶＤの第２成膜方法により、第１膜表面Ｌ０に形成する。第２成膜方法は、高濃度オゾンガスおよび不飽和炭化水素ガスの両者のラジカル反応によって生成されるラジカル（ＯＨラジカル）を酸化剤として用い、そのラジカルの酸化力を利用して成膜する【選択図】図２
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Inventors:
Takayuki Hagiwara
Naoto Kameda
Naoto Kameda
Application Number:
JP2022115198A
Publication Date:
February 01, 2024
Filing Date:
July 20, 2022
Export Citation:
Assignee:
Meiden Nanoprocess Innovation Co., Ltd.
International Classes:
C23C16/40; C23C16/455; H01L21/31; H01L21/316
Attorney, Agent or Firm:
Hiromichi Kobayashi
Kiyoshi Tomioka
Hidehisa Uzawa
Tomoyuki Ota
Kiyoshi Tomioka
Hidehisa Uzawa
Tomoyuki Ota