Title:
保護膜形成剤、及び半導体チップの製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024022835
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】半導体ウエハーのダイシングにおいて、半導体ウエハーの表面に保護膜を形成するために用いられ、レーザー加工性に優れ且つクラックの発生が抑制された保護膜を形成できる保護膜形成剤と、保護膜形成剤を用いる半導体チップの製造方法とを提供すること。【解決手段】半導体ウエハー２の表面に保護膜２４が形成された後、半導体ウエハーにおけるストリート２３を備える積層体２１において、ストリートに沿って加工溝２５が形成される。保護膜を形成するために用いられる保護膜形成剤は、水溶性樹脂と、吸光剤と、単糖類及び二糖類から選択される少なくとも１種の可塑剤と、溶媒とを含む。水溶性樹脂は、芳香環と水溶性基とを有する水溶性樹脂を含むことが好ましい。【選択図】図６
Inventors:
Hitomi Maniwa
Tetsuro Kinoshita
Tetsuro Kinoshita
Application Number:
JP2022126205A
Publication Date:
February 21, 2024
Filing Date:
August 08, 2022
Export Citation:
Assignee:
Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/301; B23K26/364; C08L101/02
Attorney, Agent or Firm:
Masayuki Shobayashi
Kazuyoshi Hayashi
Kazuyoshi Hayashi