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Title:
半導体ＲＦプラズマ処理のためのパルス内のＲＦパルス
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2021508413
Kind Code:
A
Abstract:
【解決手段】高周波（ＲＦ）波形を生成するためのシステムおよび方法が記載されている。この方法は、ＯＮ−ＯＦＦパルスを有さないＯＦＦ状態によって分離されたＯＮ−ＯＦＦパルス列を定義する工程を含む。この方法は、さらに、ＯＮ−ＯＦＦパルスの各々の大きさを調節するマルチレベルパルス波形を印加してＲＦ波形を生成する工程を含む。この方法は、ＲＦ波形を電極に送出する工程を含む。【選択図】図１

Inventors:
Long Maolin
One Ehou
Woo Inn
Patterson Alex
Application Number:
JP2020529679A
Publication Date:
March 04, 2021
Filing Date:
November 28, 2018
Export Citation:
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Assignee:
LAM RESEARCH CORPORATION
International Classes:
H01L21/3065; H01J37/32; H01L21/205; H03K3/80; H03K4/92; H05H1/46
Domestic Patent References:
JP2009187975A2009-08-20
JP2014142266A2014-08-07
JPH1074598A1998-03-17
Foreign References:
US20160172216A12016-06-16
Attorney, Agent or Firm:
Meisei International Patent Office



 
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