Title:
ファインピッチ超音波トランスデューサ統合のためのリリースホールおよびコンタクトビア
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2018533246
Kind Code:
A
Abstract:
高密度微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）のための方法、システム、コンピュータ可読媒体、および装置が提示される。いくつかの実施形態では、基板上に微小電気機械デバイスを製造するための方法は、デバイスの層を通ってリリースビアをエッチングするステップを備えることができる。方法は、空洞の所望の位置にアクセスするための導管としてリリースビアを使用してデバイスの層内に空洞を作成するステップをさらに備えることができ、空洞は、デバイスのトランスデューサの移動を可能にする。方法は、次いで、層を通る導電性経路を形成するためにリリースビア内に低インピーダンスの導電性材料を堆積させるステップを備えることができる。最後に、方法は、導電性材料をトランスデューサの電極に電気的に結合するステップをさらに備えることができる。
Inventors:
Donald William Kidwell
Ravindra Chenoi
John Laciter
Ravindra Chenoi
John Laciter
Application Number:
JP2018510430A
Publication Date:
November 08, 2018
Filing Date:
September 02, 2016
Export Citation:
Assignee:
Qualcomm, Inc.
International Classes:
H04R31/00; A61B8/14; B81B7/02; B81B7/04; B81C1/00; H01L41/09; H01L41/113; H01L41/33; H04R17/00; H04R19/00
Attorney, Agent or Firm:
Yasuhiko Murayama
Kuroda Shinpei
Kuroda Shinpei