Title:
可逆性抵抗記憶論理ゲート装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024514415
Kind Code:
A
Abstract:
記憶装置は、２つの相変化メモリ（ＰＣＭ）セルとブリッジを含む。第１のＰＣＭセルは、電気入力と、相変化材料と、を含む。第２のＰＣＭセルは、第１のＰＣＭセルの電気入力から独立した電気入力と、別の相変化材料と、を含む。ブリッジは、２つのＰＣＭセルに電気的に接続される。
Inventors:
Chen, Xue-chun
One, Junri
Fan, Su, Chen
One, Junri
Fan, Su, Chen
Application Number:
JP2023555733A
Publication Date:
April 02, 2024
Filing Date:
March 14, 2022
Export Citation:
Assignee:
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
International Classes:
H10B63/10; G11C13/00; H03K19/20; H10N70/20
Attorney, Agent or Firm:
Tadashi Taneichi
Tadahiko Kataoka
Jiro Furube
Hiroyuki Kubo
Tadahiko Kataoka
Jiro Furube
Hiroyuki Kubo