Title:
半導体装置の評価方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP7276627
Kind Code:
B1
Abstract:
基板（１）の表面に伝送線路（２）が設けられ、半導体チップ（５）と表面実装部品（７ａ～７ｄ）が基板（１）の表面に実装され伝送線路（２）により互いに接続された半導体装置を評価する方法であって、まず、半導体チップ（５）に対応する部分に設けられた第１の凹部（１０）と、表面実装部品（７ａ～７ｄ）に対応する部分に設けられた第２の凹部（１１）とを有する樹脂蓋（９）を準備する。次に、第１の凹部（１０）に半導体チップ（５）を収納し、第２の凹部（１１）に表面実装部品（７ａ～７ｄ）を収納するように樹脂蓋（９）を位置合わせし、押さえ治具（１２）により樹脂蓋（９）を伝送線路（２）に押圧した状態で半導体装置の評価を行う。樹脂蓋（９）の比誘電率は３～４である。
Inventors:
Akio Matsushita
Application Number:
JP2022565874A
Publication Date:
May 18, 2023
Filing Date:
June 30, 2022
Export Citation:
Assignee:
Mitsubishi Electric Corporation
International Classes:
H01L23/28; H01L23/02
Domestic Patent References:
| JP6216501A | ||||
| JP2010219210A | ||||
| JP9205320A | ||||
| JP2001210752A | ||||
| JP60105256A | ||||
| JP51028982B1 |
Foreign References:
| WO2011007519A1 | ||||
| WO2018159152A1 |
Attorney, Agent or Firm:
Patent Attorney Takada / Takahashi International Patent Office