Title:
半導体装置および半導体装置の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024044122
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】半導体装置の信頼性の低下を抑制する【解決手段】半導体装置は、第１の導電体と、第２の導電体と、前記第１の導電体と前記第２の導電体との間に設けられ、第１方向に延在する酸化物半導体層と、第１方向と交差する第２方向に延在し、酸化物半導体層を囲む第１の配線と、第１の配線と酸化物半導体層との間に設けられた絶縁膜と、酸化物半導体層の上に設けられた導電体と、第２の導電体の上に設けられ、第１方向および第２方向のそれぞれと交差する第３方向に延在する第２の配線と、第２の配線の側面に接し、第１の空隙を有する第１の絶縁層と、第１の絶縁層の上に設けられ、第１の空隙の上に第２の空隙を有する第２の絶縁層と、を具備する。【選択図】図４
Inventors:
Yasuyuki Sonoda
Application Number:
JP2022149472A
Publication Date:
April 02, 2024
Filing Date:
September 20, 2022
Export Citation:
Assignee:
Kioxia Corporation
International Classes:
H10B12/00
Attorney, Agent or Firm:
Sakura International Patent Office