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Title:
半導体故障解析装置及び半導体故障解析方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP7186934
Kind Code:
B1
Abstract:
半導体故障解析装置１は、半導体デバイスＤの第１主面Ｄ１に設定された第１経路Ｒ１に沿って第１照射光Ｌ１を照射する第１解析部１０と、第１主面Ｄ１の裏側である第２主面Ｄ２に設定された第２経路Ｒ２に沿って第２照射光Ｌ２を照射する第２解析部２０と、第１照射光Ｌ１及び第２照射光Ｌ２が照射されている半導体デバイスＤが出力する電気信号を受ける電気信号取得部６１と、第２解析部２０を制御する計算機４０と、を備える。第１照射光Ｌ１によって第１主面Ｄ１に形成される第１照射領域Ａ１の大きさは、第２照射光Ｌ２によって第２主面Ｄ２に形成される第２照射領域Ａ２の大きさと異なる。計算機４０は、第２照射領域Ａ２の全体が、第１照射領域Ａ１に重複した状態を維持しながら、第１照射光Ｌ１及び第２照射光Ｌ２を照射させる。

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Inventors:
Masataka Katsusu
Nakamura Tomonori
Application Number:
JP2022549628A
Publication Date:
December 09, 2022
Filing Date:
March 15, 2022
Export Citation:
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Assignee:
Hamamatsu Photonics Co., Ltd.
International Classes:
G01R31/311; G01R31/28; H01L21/66
Domestic Patent References:
JP2002168798A2002-06-14
JP2014192444A2014-10-06
JP2019021778A2019-02-07
JPH07140209A1995-06-02
JP2014143348A2014-08-07
JP2004146428A2004-05-20
JP2022031283A2022-02-18
Foreign References:
US5750981A1998-05-12
Attorney, Agent or Firm:
Yoshiki Hasegawa
Yoshiki Kuroki
Kenichi Shibayama
Hideki Komatsu



 
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