Title:
単結晶の製造方法およびシリコンウェーハの製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP5892232
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】抵抗率が低く、かつＳＦ（積層欠陥：スタッキングフォルト）に起因するＬＰＤ（ライトポイントデフェクト）の発生が抑制されたエピタキシャルシリコンウェーハを得ることが可能なシリコン単結晶製造方法の提供。【解決手段】単結晶の抵抗率が０．９ｍΩ・ｃｍ以下となる様に、シリコン融液に赤リンを添加したドーパント添加融液に、種子結晶を接触させた後に引き上げることで、単結晶の直胴部を形成する直胴部形成工程と、直胴部の長さが５５０ｍｍ以下で、直胴部の上端の温度が５９０℃以上の状態で、単結晶をドーパント添加融液から切り離す切り離し工程とを有するシリコン単結晶の製造方法。前記切り離しの条件により、直胴部全領域において、５７０℃?７０℃での滞在時間が２０〜２００分となり、直胴部全領域にわたってＳＦに起因するＬＰＤの発生を抑制できるシリコン単結晶製造方法。【選択図】図１７
Inventors:
Narushima Yasuto
Utsu Masayuki
Kubota Toshimichi
Utsu Masayuki
Kubota Toshimichi
Application Number:
JP2014261123A
Publication Date:
March 23, 2016
Filing Date:
December 24, 2014
Export Citation:
Assignee:
Sumco inc.
International Classes:
C30B15/22; C30B15/04; C30B29/06
Domestic Patent References:
| JP2011219300A | 2011-11-04 |
Foreign References:
| WO2010021272A1 | 2010-02-25 | |||
| WO2014175120A1 | 2014-10-30 | |||
| WO2010021272A1 | 2010-02-25 |
Attorney, Agent or Firm:
Intellectual Property Office