Title:
フェリ磁性の希土類遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）合金から形成されるスピントランスファ磁化反転磁気素子
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2017517879
Kind Code:
A
Abstract:
磁気トンネル接合（ＭＴＪ）は、希土類遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）合金の希土類（ＲＥ）組成のサブラティスモーメントによって占められている正味モーメントを有するフェリ磁性のＲＥ−ＴＭ合金から形成されるフリー層を含む。ＭＴＪは、希土類遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）合金の希土類（ＲＥ）組成のサブラティスモーメントによって占められている正味モーメントを有するＲＥ−ＴＭ合金から形成されるピンド層であって、ピンド層は、フリー層およびピンド層の正味磁気モーメントが低い、またはゼロに近いような１つ以上のアモルファス薄挿入層を備える、をさらに含む。
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Inventors:
Chen, Wei-Chuan
Ju, Xiao Chun
Park, Chand
Kang, Sun Hyuk
Ju, Xiao Chun
Park, Chand
Kang, Sun Hyuk
Application Number:
JP2016562816A
Publication Date:
June 29, 2017
Filing Date:
March 02, 2015
Export Citation:
Assignee:
QUALCOMM INCORPORATED
International Classes:
H01L43/08; H01F10/16; H01F10/32; H01L21/8246; H01L27/105; H01L29/82; H01L43/10
Attorney, Agent or Firm:
Kurata Masatoshi
Yoshihiro Fukuhara
Morisezo Iseki
Takashi Okada
Yoshihiro Fukuhara
Morisezo Iseki
Takashi Okada