インメモリコンピューティングのための記憶装置

Japanese Patent JP2024012076

A

【課題】３D AND型フラッシュメモリに適用可能なインメモリコンピューティング（ＣＩＭ）のための記憶装置を提供する。【解決手段】記憶装置２００において、メモリアレイは、第１の一対のメモリセルと、第２の一対のメモリセルとを含む。第１の一対のメモリセルの各々は、第１のグローバルビット線（ＧＢＬ）に結合された第１のメモリセルセット２１５と、第２のグローバルビット線（ＧＢＬ）に結合された第２のメモリセルセット２１６と、を含み、第２の一対のメモリセルの各々は、第１のグローバルビット線ＧＢＬ（Ｎ）に結合された第３のメモリセルセット２１７と、第２のグローバルビット線ＧＢＬＢ（Ｎ）に結合された第４のメモリセルセット２１８と、を含む。信号処理回路（差動アナログ－デジタル変換器）２５０は、第１のグローバルビット線と第２のグローバルビット線とに結合される。【選択図】図３Ａ

Lu Hakoba
Xu Koken
Leaf riser
Xie Zhichang
Toshio Hong
Yongjun Lee

JP2023071918A

January 25, 2024

April 26, 2023

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Wanghong Electronics Co., Ltd.

G11C5/02; G06F12/00; G06G7/16; G11C16/04

Kenji Sugimura
Mitsutsugu Sugimura
Masaaki Ishikawa

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