Title:
スイッチ素子および記憶装置ならびにメモリシステム
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2019167538
Kind Code:
A1
Abstract:
本開示の一実施形態のスイッチ素子は、第１電極と、第１電極と対向配置された第２電極と、セレン（Ｓｅ）と、ゲルマニウム（Ｇｅ）およびケイ素（Ｓｉ）のうちの少なくとも１種と、ホウ素（Ｂ）と、炭素（Ｃ）と、ガリウム（Ｇａ）と、ヒ素（Ａｓ）とを含むと共に、第１電極と第２電極との間に設けられたスイッチ層とを備える。
Inventors:
Kiyohiro
Kazuhiro Oba
Shuichiro Yasuda
Kazuhiro Oba
Shuichiro Yasuda
Application Number:
JP2020502883A
Publication Date:
March 11, 2021
Filing Date:
January 31, 2019
Export Citation:
Assignee:
Sony Semiconductor Solutions Corporation
International Classes:
H01L21/8239; G11C13/00; H01L27/105; H01L45/00; H01L49/00
Attorney, Agent or Firm:
Patent Business Corporation Tsubasa International Patent Office