Title:
分子状炭素の注入のためのイオン源の寿命を延長させるためのシステムおよび方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2022534997
Kind Code:
A
Abstract:
イオン源アセンブリおよび方法は、分子状炭素ソースガスをイオン源チャンバに供給するためのソースガス供給源を有する。ソースガスフローコントローラは、イオン源チャンバへの分子状炭素ソースガスのフローを制御する。励起源は、分子状炭素ソースガスを励起して炭素イオンおよびラジカルを形成する。引出し電極はイオン源チャンバから炭素イオンを引き出し、イオンビームを形成する。酸化共ガス供給源は、酸化共ガスをチャンバに供給する。酸化共ガス流量コントローラは、チャンバへの酸化共ガスの流量を制御する。酸化共ガスは分解し、炭素残留物および原子状炭素と反応して、イオン源チャンバ内で一酸化炭素および二酸化炭素を形成する。真空ポンプシステムは一酸化炭素および二酸化炭素を除去し、イオン源チャンバ内の原子状炭素の堆積が低減され、イオン源の寿命が延長される。
Inventors:
Spaulder, David
Basom, Neil
Neil Corvin
Amin, Mike
Shu, Xiao
Basom, Neil
Neil Corvin
Amin, Mike
Shu, Xiao
Application Number:
JP2021570952A
Publication Date:
August 04, 2022
Filing Date:
June 02, 2020
Export Citation:
Assignee:
Axcelis Technologies, Inc.
International Classes:
H01J37/08; H01J27/08
Attorney, Agent or Firm:
Patent business corporation HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
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