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Title:
メモリセルを読み出すためのシステム及び方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2023504504
Kind Code:
A
Abstract:
本開示は、メモリセルを読み出すための方法、回路、及びシステムを提供する。方法は、複数のメモリセルに第１の極性を有する第１の電圧を印加することと、複数のメモリセルの内の１つ以上に第２の極性を有する第２の電圧を印加することと、複数のメモリセルの内の１つ以上に第１の極性を有する少なくとも第３の電圧を印加することと、第１の電圧、第２の電圧、及び第３の電圧に対するメモリセルの電気的応答を検出することと、第１の電圧、第２の電圧、及び第３の電圧に対するメモリセルの電気的応答に基づいて個別のメモリセルの論理状態を判定することを含み得る。

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Inventors:
Di Vincenzo Umberto
Musette Riccardo
Bedeski Ferdinand
Application Number:
JP2022533054A
Publication Date:
February 03, 2023
Filing Date:
December 03, 2019
Export Citation:
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Assignee:
Micron Technology, Ink.
International Classes:
G11C13/00
Domestic Patent References:
JP2021504869A2021-02-15
JP2017059285A2017-03-23
Foreign References:
WO2018063589A12018-04-05
WO2019108402A12019-06-06
Attorney, Agent or Firm:
Hiroyoshi Aoki
Masayuki Amada
Yoshiyuki Osuge



 
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