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Title:
タングステンジアザブタジエン分子、その合成及びタングステン含有膜の堆積へのその使用
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2014534952
Kind Code:
A
Abstract:
タングステンジアザブタジエン分子、その製造方法及びタングステン含有膜の堆積におけるその使用を開示する。開示の分子は、式W(DAD)3(式中、DADは1,4−ジアザブタ−1,3−ジエン配位子及びその還元誘導体である)を有する。DAD配位子はN原子を介してタングステンに直接配位する。開示の分子をタングステン膜、タングステン窒化物膜、タングステン炭窒化物膜若しくはタングステン酸化物膜、又は任意の他のタングステン含有膜の堆積に使用することができる。タングステン含有膜は、熱及び/又はプラズマ支援CVD、ALD、パルスCVD又は任意の他のタイプの堆積法において開示の分子を用いて堆積させることができる。【選択図】なし

Inventors:
クレマン ランサロット−マトラス
ナタナエル シュナイデール
ジュリアン ガティノウ
Application Number:
JP2014532537A
Publication Date:
December 25, 2014
Filing Date:
September 27, 2012
Export Citation:
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Assignee:
レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
International Classes:
C07F11/00; C07C251/08; C23C16/18
Domestic Patent References:
JP2005533178A2005-11-04
JP2005307218A2005-11-04
JP2007182443A2007-07-19
Foreign References:
US6020511A2000-02-01
DD295876A51991-11-14
Attorney, Agent or Firm:
Obuchi Yoshikazu glory
Yukio Fuse