Title:
抵抗変化型ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）アレイに対する書込みドライバ回路
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2018509727
Kind Code:
A
Abstract:
詳細な説明において開示される態様は、抵抗変化型ランダムアクセスメモリ(RAM)アレイのための書込みドライバ回路を含む。一態様では、書込みドライバ回路は、データをメモリシステム内の抵抗変化型RAMアレイに書き込むことを容易にするために設けられる。書込みドライバ回路は、書込み動作のために抵抗変化型RAMアレイ内のメモリビットセルを選択するように構成されるセレクタ回路に結合される。書込み動作中に書込み電圧を供給するために電流源をセレクタ回路に結合するため、および書込み動作においてセレクタ回路が係合されないとき、電流源をセレクタ回路から分離するために、分離回路が、書込みドライバ回路内に設けられる。セレクタ回路が待機しているときにセレクタ回路を電流源から分離することによって、セレクタ回路内のリーク電流を低減し、したがってメモリシステム内の待機電力消費を低減することが可能になる。
Inventors:
Jun Pill Kim
Sungyeol Kim
Taehyun Kim
Sungyeol Kim
Taehyun Kim
Application Number:
JP2017546822A
Publication Date:
April 05, 2018
Filing Date:
March 01, 2016
Export Citation:
Assignee:
Qualcomm, Inc.
International Classes:
G11C11/16; H01L21/8239; H01L27/105; H01L29/82; H01L43/08
Attorney, Agent or Firm:
Yasuhiko Murayama
Kuroda Shinpei
Kuroda Shinpei